ZHCSSR4 august 2023 TPSM843B22E
PRODUCTION DATA
TPSM843B22 可以在較高輸入電壓下降低高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,更大限度地提高典型輸入電壓下的效率,同時(shí)可以減少振鈴,提高較高輸入電壓下的可靠性。當(dāng)輸入電壓超過(guò)上升閾值(通常為 16V)時(shí),高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度會(huì)減弱以減少振鈴。該器件將在此降低的電平下運(yùn)行,直到輸入電壓低于下降閾值(通常為 15.5V)。當(dāng)高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度受到限制時(shí),轉(zhuǎn)換器效率將降低。