ZHCSVK1 May 2024 TPSM86637 , TPSM86638
PRODUCTION DATA
使用逐周期低側(cè) MOSFET 谷值電流檢測和高側(cè) MOSFET 峰值電流檢測來實現(xiàn)輸出過流保護(hù) (OCP)。通過測量 MOSFET 漏源電壓來監(jiān)控開關(guān)電流。此電壓與開關(guān)電流成正比。為了提升精確度,對電壓感測進(jìn)行了溫度補償。
對于此類過流限制,有一些重要的注意事項。當(dāng)負(fù)載電流高于 ILS_LIMIT 與一半的峰峰值電感器紋波電流之和,或者高于 IHS_LIMIT 與一半的峰峰值電感器紋波電流之差時,OCP 被觸發(fā),電流受到限制,輸出電壓往往會下降,因為負(fù)載需求高于模塊可以支持的水平。當(dāng)輸出電壓降至低于目標(biāo)電壓的 65% 時,UVP 比較器會檢測到這種情況并在 256μs 抗尖峰脈沖等待時間過后關(guān)斷器件,然后在斷續(xù)時間(10.5 個周期的軟啟動時間)后重新啟動。過流條件消失后,輸出恢復(fù)。