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ZHCSZF8 December 2025 TRF0213-SEP

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RPV|12

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

5.6 典型特性

T_A = 25°C，溫度曲線指定環(huán)境溫度，V_DD = 5V，輸入和輸出端具有 100nF 的交流耦合電容器，50Ω 單端輸入，100Ω 差分輸出（除非另有說(shuō)明）

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-1 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的功率增益

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-3 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的輸入回波損耗

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-5 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的反向隔離

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-7 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的輸出回波損耗

P_O/子載波 = –5dBm，10MHz 子載波間隔

圖 5-9 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 OIP3

10MHz 頻率間隔

圖 5-11 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 OIP3

在 (2f₁-f₂) 頻率條件下，f₁ < f₂；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-13 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 IMD3 更低

在 (2f₂-f₁) 頻率條件下，f₁ < f₂；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-15 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 IMD3 更高

在 (2f₁-f₂) 頻率條件下，f₁ < f₂；
10MHz 子載波間隔

圖 5-17 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 IMD3 較低

在 (f₂-f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-19 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 OIP2 更低

在 (f₂+f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-21 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 OIP2 更高

在 (f₂-f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-23 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 IMD2 更低

在 (f₂+f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-25 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 IMD2 更高

在 (f₂-f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；
10MHz 子載波間隔

圖 5-27 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 IMD2 較低

P_O = +3dBm

圖 5-29 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 HD2

P_O = +3dBm

圖 5-31 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 HD3

圖 5-33 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 HD2

圖 5-35 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的輸出 P1dB

圖 5-37 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 NF

圖 5-39 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的增益不平衡

圖 5-41 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的相位不平衡

圖 5-43 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的 CMRR

圖 5-45 輸出功率跨輸入功率

圖 5-47 過(guò)驅(qū)恢復(fù)響應(yīng)

圖 5-49 導(dǎo)通時(shí)間

f = 1GHz，P_O = 10dBm

圖 5-51 附加（殘留）相位噪聲

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-2 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的功率增益

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-4 整個(gè) V_DD 內(nèi)的輸入回波損耗

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-6 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的反向隔離

P_IN = 所有激勵(lì)端口均接 50Ω 信號(hào)源時(shí)為 –20dBm，
非激勵(lì)端口與 50Ω 端接

圖 5-8 整個(gè) V_DD 內(nèi)的輸出回波損耗

P_O/子載波 = –5dBm，10MHz 子載波間隔

圖 5-10 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 OIP3

P_O/子載波 = –5dBm

圖 5-12 不同子載波間隔下的 OIP3

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 IMD3 更低

在 (2f₁-f₂) 頻率條件下，f₁ < f₂；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-14 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 IMD3 更低

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 IMD3 更高

在 (2f₂-f₁) 頻率條件下，f₁ < f₂；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-16 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 IMD3 更高

在 (2f₂-f₁) 頻率條件下，f₁ < f₂；
10MHz 子載波間隔

圖 5-18 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 IMD3 較高

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 OIP2 更低

在 (f₂-f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-20 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 OIP2 更低

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 OIP2 更高

在 (f₂+f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-22 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 OIP2 更高

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 IMD2 更低

在 (f₂-f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-24 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 IMD2 更低

TRF0213-SEP 整個(gè) VDD 范圍內(nèi)的 IMD2 更高

在 (f₂+f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；P_O/子載波 = –5dBm，
10MHz 子載波間隔

圖 5-26 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 IMD2 更高

在 (f₂+f₁) 頻率條件下，f₂ > f₁；
10MHz 子載波間隔

圖 5-28 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 IMD2 較高

P_O = +3dBm

圖 5-30 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 HD2

P_O = +3dBm

圖 5-32 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 HD3

圖 5-34 整個(gè)輸出功率范圍內(nèi)的 HD3

圖 5-36 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的輸出 P1dB

圖 5-38 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 NF

圖 5-40 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的增益不平衡

圖 5-42 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的相位不平衡

圖 5-44 整個(gè) V_DD 范圍內(nèi)的 CMRR

低頻率截止頻率與交流耦合電容的函數(shù)關(guān)系

圖 5-46 低頻率增益響應(yīng)

V_O = 1V_PP

圖 5-48 階躍響應(yīng)

圖 5-50 關(guān)斷時(shí)間