ZHCSXW6B February 2025 – January 2026 TXG4041-Q1 , TXG4042-Q1
PRODUCTION DATA
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標(biāo)準(zhǔn) CMOS 輸入為高阻抗,通常建模為與輸入電容并聯(lián)的電阻器,如 節(jié) 5.1.5 中所示。最壞情況下的電阻是根據(jù) 節(jié) 5.1.1 中給出的最大輸入電壓和 節(jié) 5.1.5 中給出的最大輸入泄漏電流,使用歐姆定律 (R = V ÷ I) 計算得出的。
施密特觸發(fā)輸入架構(gòu)可提供由電氣特性中的 ΔVT 定義的磁滯,因而此器件能夠很好地耐受慢速或高噪聲輸入。較慢地驅(qū)動輸入會增加器件的動態(tài)電流消耗。有關(guān)施密特觸發(fā)輸入的更多信息,請參閱了解施密特觸發(fā)。