ZHCSZ72A September 2025 – November 2025 UCC27834-Q1 , UCC27884-Q1
PRODUCTION DATA
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自舉電容器的容值應(yīng)充足,確保在驅(qū)動(dòng) FET Q1 柵極至高電平時(shí),其電壓下降不超過 10%。一般規(guī)則是 CBOOT 的容值至少為等效 FET 柵極電容 (Cgs) 的 10 倍。
Cg 根據(jù)高側(cè) FET 柵極的驅(qū)動(dòng)電壓 (VQ1g) 和 FET 柵極電荷 (Qg) 計(jì)算得出。 VQ1g 約等于提供給 VDD 的偏置電壓減去自舉二極管的正向壓降 (VBOOT)。在本設(shè)計(jì)示例中,VQ1g 估值約為 14.4V
本示例中使用的 FET 的 Qg 額定值為 33nC。根據(jù) Qg 和 VQ1g,計(jì)算得出 Cg 為 2.3nF。
估算出 Cg 后,CBOOT 的大小應(yīng)至少為 Cg 的 10 倍。
本設(shè)計(jì)示例選擇了 100nF 電容器作為自舉電容器。