ZHCSGD9 June 2017 UCC28730-Q1
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3 Feature Description
- 7.4 Device Functional Modes
-
8 Application and Implementation
- 8.1 Application Information
- 8.2
Typical Application
- 8.2.1 Design Requirements
- 8.2.2
Detailed Design Procedure
- 8.2.2.1 Stand-By Power Estimate
- 8.2.2.2 Input Bulk Capacitance and Minimum Bulk Voltage
- 8.2.2.3 Transformer Turns Ratio, Inductance, Primary-Peak Current
- 8.2.2.4 Transformer Parameter Verification
- 8.2.2.5 Output Capacitance
- 8.2.2.6 VDD Capacitance, CVDD
- 8.2.2.7 VS Resistor Divider, Line Compensation, and Cable Compensation
- 8.2.2.8 VS Wake-Up Detection
- 8.2.3 Application Curves
- 8.3 Do's and Don'ts
- 9 Power Supply Recommendations
- 10Layout
-
11器件和文檔支持
- 11.1
器件支持
- 11.1.1
器件命名規(guī)則
- 11.1.1.1 電容術(shù)語（以法拉為單位）
- 11.1.1.2 占空比相關(guān)術(shù)語
- 11.1.1.3 頻率術(shù)語（以赫茲為單位）
- 11.1.1.4 電流術(shù)語（以安培為單位）
- 11.1.1.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語
- 11.1.1.6 變壓器術(shù)語
- 11.1.1.7 功率術(shù)語（以瓦特為單位）
- 11.1.1.8 電阻術(shù)語（以 Ω 為單位）
- 11.1.1.9 時序術(shù)語（以秒為單位）
- 11.1.1.10 直流電壓術(shù)語（以伏特為單位）
- 11.1.1.11 交流電壓術(shù)語（以伏特為單位）
- 11.1.1.12 效率術(shù)語
- 11.1.1
器件命名規(guī)則
- 11.2 文檔支持
- 11.3 接收文檔更新通知
- 11.4 社區(qū)資源
- 11.5 商標(biāo)
- 11.6 靜電放電警告
- 11.7 Glossary
- 11.1
器件支持
- 12機械、封裝和可訂購信息
11 器件和文檔支持
11.1 器件支持
11.1.1 器件命名規(guī)則
11.1.1.1 電容術(shù)語（以法拉為單位）
- CBULK：CB1 和 CB2 的總輸入電容
- CVDD：VDD 引腳所需的最小電容
- COUT：所需的最小輸出電容
11.1.1.2 占空比相關(guān)術(shù)語
- DMAGCC：CC 模式下二次側(cè)二極管導(dǎo)通占空比，0.432
- DMAX：允許的最大 MOSFET 導(dǎo)通時間占空比
- NHC：線路降壓期間交流線路頻率的半周期數(shù)
11.1.1.3 頻率術(shù)語（以赫茲為單位）
- fLINE：最小線路頻率
- fMAX：轉(zhuǎn)換器在滿載條件下的最高開關(guān)頻率
- fMIN：轉(zhuǎn)換器的實際最小開關(guān)頻率
- fSW(max)：控制器的最大開關(guān)頻率（請參閱Electrical Characteristics）
- fSW(min)：控制器的最小開關(guān)頻率（請參閱Electrical Characteristics）
11.1.1.4 電流術(shù)語（以安培為單位）
- IOCC：轉(zhuǎn)換器輸出恒流目標(biāo)
- IPP(max)：變壓器一次側(cè)最大電流
- ISTART：啟動前 VDD 偏置電流（請參閱Electrical Characteristics）
- ITRAN：所需的正負(fù)載階躍電流
- IWAIT：等待狀態(tài)期間 VDD 偏置電流（請參閱Electrical Characteristics）
- IVSL(run)：VS 引腳運行電流（請參閱Electrical Characteristics）
11.1.1.5 電流和電壓調(diào)節(jié)術(shù)語
- KAM：最大/最小初級電流峰值振幅比率（請參閱Electrical Characteristics）
- KLC：針對線路補償?shù)碾娏髡{(diào)節(jié)常量（請參閱Electrical Characteristics）
- KCo：穩(wěn)定性因子 100，用于計算 COUT
11.1.1.6 變壓器術(shù)語
- LP：變壓器初級電感
- NAS：變壓器輔助繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比
- NPA：變壓器一次側(cè)繞組與輔助繞組匝數(shù)比
- NPS：變壓器一次側(cè)繞組與二次側(cè)繞組匝數(shù)比
11.1.1.7 功率術(shù)語（以瓦特為單位）
- PIN：滿載時轉(zhuǎn)換器的最大輸入功率
- POUT：滿載時轉(zhuǎn)換器的輸出功率
- PSTBY：待機時轉(zhuǎn)換器的總輸入功率
11.1.1.8 電阻術(shù)語（以 Ω 為單位）
- RCS：一次側(cè)電流編程電阻
- RESR：輸出電容的總 ESR
- RPL：轉(zhuǎn)換器輸出端的預(yù)載電阻
- RS1：高側(cè) VS 輸入電阻
- RS2：低側(cè) VS 輸入電阻
11.1.1.9 時序術(shù)語（以秒為單位）
- tD：總電流感測延遲（包括 MOSFET 關(guān)斷延遲）；在 MOSFET 延遲基礎(chǔ)上增加 50ns
- tDMAG(min)：二次側(cè)整流器最短導(dǎo)通時間（變壓器消磁時間）
- tON(min)：MOSFET 最短導(dǎo)通時間
- tR：tDMAG 之后的諧振環(huán)周期
11.1.1.10 直流電壓術(shù)語（以伏特為單位）
- VBULK：用于待機功耗測量的大容量電容最高電壓
- VBULK(min)：滿功率條件下大容量電容的最小谷值電壓
- VOCBC：輸出引腳的目標(biāo)電纜補償電壓
- VCBC(max)：最大輸出電流條件下 CBC 引腳的最高電壓（請參閱Electrical Characteristics）
- VCCR：恒流調(diào)節(jié)系數(shù)電壓（請參閱Electrical Characteristics）
- VCST(max)：CS 引腳最大電流感測閾值（請參閱Electrical Characteristics）
- VCST(min)：CS 引腳最小電流感測閾值（請參閱Electrical Characteristics）
- VVDD(off)：UVLO 閾值關(guān)斷電壓（請參閱Electrical Characteristics）
- VVDD(on)：UVLO 閾值接通電壓（請參閱Electrical Characteristics）
- VVDD(maxΔ)：等待狀態(tài)下開關(guān)周期間的最大 VDD 壓降
- VOΔ：輸出負(fù)載瞬態(tài)期間允許的輸出壓降
- VDSPK：高壓線條件下的 MOSFET 漏源電壓峰值
- VF：電流接近零時的二次側(cè)整流器正向壓降
- VFA：輔助整流器正向壓降
- VLK：估計的一次側(cè)漏感能量復(fù)位電壓
- VOCV：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓輸出電壓
- VOCC：恒流穩(wěn)壓條件下的最低目標(biāo)輸出電壓
- VREV：二次側(cè)整流器的反向峰值電壓
- VRIPPLE：滿載條件下的輸出峰峰值紋波電壓
- VVSR：VS 輸入端的恒壓調(diào)節(jié)電平（請參閱Electrical Characteristics）
- ΔVCQ：開關(guān)周期間允許的負(fù)載放電 COUT 電壓變化
11.1.1.11 交流電壓術(shù)語（以伏特為單位）
- VIN(max)：轉(zhuǎn)換器的最大交流輸入電壓
- VIN(min)：轉(zhuǎn)換器的最小交流輸入電壓
- VIN(run)：轉(zhuǎn)換器的啟動（運行）輸入電壓
11.1.1.12 效率術(shù)語
- ηSB：當(dāng)反激式轉(zhuǎn)換器輸出功率為零時估計的內(nèi)部預(yù)載功率效率。此效率的計算方式為：通過 RPL 耗散的轉(zhuǎn)換器內(nèi)部預(yù)載功率除以轉(zhuǎn)換器在待機狀況下的總輸入功率 (PSTBY)。在設(shè)計開始可使用估計值 50%。
- η：轉(zhuǎn)換器全額輸出功率條件下的總體效率
- ηXFMR：變壓器的功率傳輸效率
11.2 文檔支持
11.3 接收文檔更新通知
要接收文檔更新通知，請導(dǎo)航至德州儀器 TI.com.cn 上的器件產(chǎn)品文件夾。請單擊右上角的通知我 進行注冊，即可收到任意產(chǎn)品信息更改每周摘要。有關(guān)更改的詳細(xì)信息，請查看任意已修訂文檔中包含的修訂歷史記錄。
11.4 社區(qū)資源
下列鏈接提供到 TI 社區(qū)資源的連接。鏈接的內(nèi)容由各個分銷商“按照原樣”提供。這些內(nèi)容并不構(gòu)成 TI 技術(shù)規(guī)范，并且不一定反映 TI 的觀點；請參閱 TI 的 《使用條款》。
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TI E2E™ 在線社區(qū) TI 的工程師對工程師 (E2E) 社區(qū)。此社區(qū)的創(chuàng)建目的在于促進工程師之間的協(xié)作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨詢問題、分享知識、拓展思路并與同行工程師一道幫助解決問題。
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設(shè)計支持 TI 參考設(shè)計支持 可幫助您快速查找有幫助的 E2E 論壇、設(shè)計支持工具以及技術(shù)支持的聯(lián)系信息。
11.5 商標(biāo)
E2E is a trademark of Texas Instruments.
11.6 靜電放電警告
這些裝置包含有限的內(nèi)置 ESD 保護。 存儲或裝卸時，應(yīng)將導(dǎo)線一起截短或?qū)⒀b置放置于導(dǎo)電泡棉中，以防止 MOS 門極遭受靜電損傷。
11.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.