ZHCSXK2 December 2024 UCC57102Z-Q1
PRODUCTION DATA
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該器件具有 ±3A 的峰值驅(qū)動強度,適合驅(qū)動 IGBT/SiC。該驅(qū)動器具有一項重要的安全功能,借助該功能,當(dāng)輸入引腳處于懸空狀態(tài)時,輸出會保持在低電平狀態(tài)。該驅(qū)動器通過使用固有自舉柵極驅(qū)動實施 NMOS 上拉,實現(xiàn)軌到軌輸出。在直流條件下,PMOS 用于保持 OUT 與 VDD 的連接,如下圖所示。NMOS 具有低上拉阻抗,從而在導(dǎo)通瞬變期間可產(chǎn)生強驅(qū)動強度,從而縮短功率半導(dǎo)體的輸入電容的充電時間并降低導(dǎo)通開關(guān)損耗。