ZHCSPX8C January 2000 – January 2026 XTR115 , XTR116
PRODUCTION DATA
外部晶體管 Q1 傳導(dǎo)大部分滿量程輸出電流。在高環(huán)路電壓 (40V) 和 20mA 輸出電流下，該晶體管的功率耗散可接近 0.8W。XTR11x 設(shè)計(jì)為使用外部晶體管來避免片上出現(xiàn)熱致誤差。Q1 產(chǎn)生的熱量仍會導(dǎo)致環(huán)境溫度發(fā)生變化，從而影響 XTR11x 性能。為了更大限度地減少這些影響，請將 Q1 放置在遠(yuǎn)離敏感模擬電路（包括 XTR11x）的位置。安裝 Q1 可將熱量傳導(dǎo)到換能器外殼的外部，且遠(yuǎn)離 XTR11x 系列器件。
XTR11x 旨在使用幾乎任何具有足夠電壓、電流和額定功率的 NPN 晶體管。外殼樣式和熱安裝注意事項(xiàng)通常會影響給定應(yīng)用的選擇。圖 8-1 中列出了幾種可能的選擇。MOSFET 晶體管不會提高 XTR11x 的精度，因此不建議使用。盡管 XTR11x 無需額外的外部晶體管即可使用，但由于存在自熱問題，這種配置在較高環(huán)路電壓和電流下并不總是實(shí)用。