ZHCAB75A March 2020 – February 2022 ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , LM2005 , LM2101 , LM2103 , LM2104 , LM2105 , LM25101 , LM27222 , LM2724A , LM5100A , LM5100B , LM5100C , LM5101 , LM5101A , LM5101B , LM5101C , LM5102 , LM5104 , LM5105 , LM5106 , LM5107 , LM5108 , LM5109 , LM5109A , LM5109B , LM5109B-Q1 , LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210 , SM72295 , SM74104 , TPS28225 , TPS28225-Q1 , TPS28226 , TPS2832 , TPS2836 , TPS2837 , UC2950 , UCC27200 , UCC27200-Q1 , UCC27200A , UCC27201 , UCC27201A , UCC27201A-DIE , UCC27201A-Q1 , UCC27211 , UCC27211A , UCC27211A-Q1 , UCC27212 , UCC27212A-Q1 , UCC27222 , UCC27282 , UCC27282-Q1 , UCC27284 , UCC27284-Q1 , UCC27288 , UCC27289 , UCC27301A , UCC27301A-Q1 , UCC27311A , UCC27311A-Q1 , UCC27710 , UCC27712 , UCC27712-Q1 , UCC27714 , UCC27734 , UCC27734-Q1 , UCC27735 , UCC27735-Q1 , UCC27834 , UCC27834-Q1 , UCC27884 , UCC27884-Q1
這兩種方法都能夠提供電流升壓的驅(qū)動輸出。然而，飽和 MOSFET 提供的阻抗較低，因此，基于飽和 MOSFET 的驅(qū)動器可實現(xiàn)的驅(qū)動電流要高得多。BJT 驅(qū)動器的阻抗相對較高，因為它們在有源區(qū)域中工作，因而與另一種方法相比，使用同等尺寸的器件時其驅(qū)動電流電平較低。此外，與高電流 MOSFET 相比，高電流 BJT 器件的可用性要低得多。在驅(qū)動類似器件時，由于 BJT 的阻抗相對較高，基于 BJT 的驅(qū)動器將比基于 MOSFET 的驅(qū)動器消耗更多的功率。相對較低的工作溫度可提高基于 MOSFET 的驅(qū)動器的可靠性。
基于 BJT 的驅(qū)動器的主要優(yōu)點是電路簡單。它的元件數(shù)較少，且電源方案要簡單得多。它還允許輕松擴展在驅(qū)動器 IC 內(nèi)部構(gòu)建的功能，如 DESAT 保護、米勒鉗位等。對于基于 MOSFET 的驅(qū)動器，這些功能應(yīng)根據(jù)需要在外部構(gòu)建。由于在外部增加了 DESAT 保護和鉗位電路，柵極驅(qū)動器的總體尺寸將增加。然而，基于 MOSFET 的驅(qū)動器可提供更大的隔離靈活性，因為它只依賴于變壓器和數(shù)字隔離器。對于特定的隔離要求，有更多器件可供選擇。