4 簡(jiǎn)單的解決方案

實(shí)際系統(tǒng)電路中的實(shí)際輸出紋波并不一定等于 EVM 中測(cè)量的值。而且此高頻噪聲并不一定會(huì)影響系統(tǒng)負(fù)載：

• 如果升壓輸出與負(fù)載之間存在 LDO，LDO 及其輸入和輸出電容器有助于濾除此類高頻噪聲。
• 如果升壓輸出與負(fù)載之間存在長(zhǎng)線纜，線纜 ESR、ESL 與負(fù)載附近的旁路電容器會(huì)構(gòu)成 RLC 濾波器，以減少高頻噪聲。
• 此類高頻噪聲可能不會(huì)影響系統(tǒng)負(fù)載的性能。

但如果負(fù)載對(duì)高頻噪聲敏感，或者 EMI 性能對(duì)系統(tǒng)至關(guān)重要，在高頻條件下具有高阻抗的鐵氧體磁珠可以顯著降低此類噪聲。圖 4-1 中顯示了鐵氧體磁珠的位置。在頻率接近 300 MHz 時(shí)，F(xiàn)B 的阻抗都應(yīng)遠(yuǎn)大于 C_OUT2。

以 BLM18KG30TH1 為例，當(dāng)頻率位于 200 MHz 至 1000 MHz 范圍內(nèi)時(shí)，其阻抗高于 35?。阻抗遠(yuǎn)大于電容器，如圖 4-2 所示。

在 TPS61022EVM 中添加鐵氧體磁珠并將三個(gè)電容器的其中一個(gè)移到 C_OUT2 位置后，輸出電壓紋波如圖 4-3 所示。高頻噪聲會(huì)顯著降低，并且紋波主要是開(kāi)關(guān)頻率紋波。