ZHCABM2 May 2022 DP83TC811S-Q1
原理圖和 MDI 的正確元件、參考時鐘和功耗網(wǎng)絡對于 100Base-T1 PHY 的性能都非常重要。本節(jié)記錄了 OA TC1 測試期間使用的建議原理圖和元件值。
| 參數(shù)/元件 | 容值 |
|---|---|
| VDDIO | 1.8V、2.5V 或 3.3V |
| 去耦電容器 VDDIO | 10nF、100nF、1uF、10uF |
| （可選）鐵氧體磁珠 VDDIO | 100MHz 下為 1kΩ (BLM18AG102SH) |
| VDDA | 3.3V |
| 去耦電容器 VDDA | 10nF、100nF、1uF、10uF |
| （可選）鐵氧體磁珠 VDDA | 100MHz 下為 1kΩ (BLM18AG102SH) |
| 參數(shù)/元件 | 容值 |
|---|---|
| 濾波器 - R1、R2（1% 精度） | 22 Ω |
| 濾波器 - C1、C2（2% 精度） | 22pF |
| 濾波器 - C3、C4（2% 精度） | 47pF |
| 濾波器 - L1、L2（2% 精度） | 120nH |
| 直流阻斷電容器（1% 精度，100V） | 0.1μF |
| 共模扼流圈 | TDK：ACT1210L-201 |
| TDK：ACT45L-201 | |
| Murata（村田）：DLW32MH201XK2 | |
| Murata（村田）：DLW43MH201XK2L | |
| Pulse：AE2002 | |
| 共模端接電阻器（1% 精度，0.75W，尺寸：2010） | 1kΩ |
| MDI 耦合電容器 | 4.7nF |
| ESD 分流器（5% 精度，0.125W，尺寸：0805） | 100kΩ |
| 隔離電阻器 1（0.25W，尺寸：1206） | 0Ω |
| 隔離電阻器 2（0.25W，尺寸：1206） | 0Ω |
| 隔離電容 | 未組裝 |
| 晶體 | |
| R_XI | 100Ω |
| R_XO |
200Ω 可以看到，添加串聯(lián)電阻器可使晶體振蕩器更不易受到電路板寄生效應和噪聲的影響，幫助實現(xiàn)快速啟動。 TI 建議使用值為 200ohms 的電阻器。因為此電阻器控制晶體功率，因此在選擇其值時應當咨詢晶體供應商。 |