ZHCAC58 November 2022 LMK6C , LMK6D , LMK6H , LMK6P
| 參數(shù) | LMK6C/D/P/H BAW 振蕩器規(guī)格和詳細(xì)信息 | 石英晶體振蕩器規(guī)格和詳細(xì)信息 | BAW 振蕩器相對(duì)于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢(shì) | 優(yōu)勢(shì) |
|---|---|---|---|---|
| 靈活性 | 一個(gè) BAW 芯片 + 一個(gè)基礎(chǔ)芯片 （單 IC 解決方案可支持任何頻率、電壓電源、引腳對(duì)引腳兼容） |
頻率限制 | 緩解供應(yīng)限制，單個(gè) IC 即可支持所有頻率 | BAW 振蕩器 |
| 溫度穩(wěn)定性 | ±10ppm （保持溫度范圍外的溫度穩(wěn)定性） |
ppm 穩(wěn)定性隨溫度升高而升高 | 在擴(kuò)展溫度下具有更高穩(wěn)定性 | BAW 振蕩器 |
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抖動(dòng)
BW：12kHz 至 20MHz |
最大
125fs（LVDS、LVPECL、HCSL） 最大 500fs (LVCMOS) |
高端性能類似于 BAW | BAW 與石英市場(chǎng)的高端產(chǎn)品很匹配 | 類似 |
| 電源噪聲抗擾度 | -70dBc（50kHz 至 1MHz
頻率范圍內(nèi)在 3.3V 電源上注入 50mV 引起的峰值雜散） （集成式 LDO） |
通常沒(méi)有集成式 LDO | 無(wú)需外部 LDO 或直流/直流轉(zhuǎn)換器即可優(yōu)化性能 | BAW 振蕩器 |
| 振動(dòng) | MIL_STD_883F 方法 2002 條件
A （除了 MIL 標(biāo)準(zhǔn)，BAW 振蕩器的典型振動(dòng)穩(wěn)定性約為 1ppb/g。這將更大限度地減少振動(dòng)引起的相位噪聲影響。) |
通常不會(huì)通過(guò) MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn)?？沙^(guò) 10ppb/g。 | 更大限度地減少環(huán)境影響 | BAW 振蕩器 |
| 沖擊 | MIL_STD_883F 方法 2007 條件 B（除 MIL 標(biāo)準(zhǔn)外，可承受更高的沖擊水平） |
通常不會(huì)通過(guò) MIL-STD 標(biāo)準(zhǔn)?？赡軙?huì)在 2,000g 時(shí)失敗。 | 更大限度地減少環(huán)境影響 | BAW 振蕩器 |