ZHCACV7A July 2023 – September 2024 LMV821-N , LMV831 , OPA2991 , OPA345 , OPA376 , OPA376-Q1 , OPA377 , OPA377-Q1 , OPA4991 , OPA991 , TL074 , TLV376 , TLV9001 , TLV9002 , TS321
CMOS 壓擺增強(qiáng)簡化電路原理圖(圖 3-2)包含一個(gè)額外的電流源,當(dāng) VID 變得足夠大時(shí),該電流源會(huì)使電容器充電電流增加至超過偏置電流電平。增強(qiáng)功能具有一個(gè)死區(qū),輸出電流為零,而輸入 VID 為低電平。當(dāng) VID 較大時(shí),增強(qiáng)電流 (IX) 將隨 VID 輸入升高。這種額外電流會(huì)顯著增加壓擺率。升壓電路可提供正負(fù)電流來提升正負(fù)壓擺率。
增強(qiáng)電流 (IX) 與 VID 可能會(huì)成比例,或它可能在特定的 VID 電平時(shí)躍升。TLV9001 采用圖 3-3 中所示的兩種方法。負(fù) SR 增強(qiáng)(紅色)在接近 -140mV 時(shí)按比例增加。正壓擺率增強(qiáng)(圖 3-3 中顯示為黑色)突然增加至接近 +270mV,然后按比例升高。無論升壓類型如何,升壓電流輸出都有限制。對于非常大的 VID,壓擺率會(huì)成為固定值。在 TLV9001 示例中,較慢的 SR 約為 2V/μs,與數(shù)據(jù)表值相符。