虛擬電阻的值對(duì)輸出放電時(shí)間和最大放電電流都有影響。

考慮到最壞的情況，當(dāng)系統(tǒng)禁用時(shí)，負(fù)載電流為 0A，然后通過(guò)下式計(jì)算輸出放電時(shí)間：

其中

• R_Dummy 是虛擬電阻
• R_FET 是 PG 引腳中開(kāi)漏 NMOS 的 Rds_on，通常比虛擬電阻器小得多，因此可以忽略不計(jì)。
• C_OUT 是輸出電容。
• r 是放電端子電壓 (V_TERMI) 與標(biāo)稱輸出電壓 (V_OUT) 的比值。

需要注意的一點(diǎn)是，如果工程師使用鋁電解電容器或鉭電容器，則 C_OUT 為標(biāo)稱電容，但如果工程師使用陶瓷電容器，在直流偏置電壓下評(píng)估陶瓷電容器的降額時(shí)要小心，直流偏置電壓會(huì)顯著降低有效電容。例如，對(duì)于 22uF/10V/0603 封裝陶瓷電容器，當(dāng)直流偏置為 5V 時(shí)，有效電容僅為約 5.5uF。因此，使用陶瓷電容器時(shí)，建議在估算放電時(shí)間時(shí)使用標(biāo)稱電容和有效電容的平均值。

例如，當(dāng)使用兩個(gè) 22uF/10V/0603 封裝陶瓷電容器時(shí)，我們得到 C_OUT= 27.5uF，如果系統(tǒng)要求電源電壓需要在 50ms 內(nèi)放電至 20% 標(biāo)稱電壓 (r = 0.2)，則

因此最大 Rdummy 電阻為 1.11kΩ。

圖 3-3 比較了計(jì)算出的放電時(shí)間和測(cè)試放電時(shí)間（基于 C_OUT = 27.5uF、r = 0.2 條件）。

最大放電電流的計(jì)算公式如下。工程師需要確保此最大電流不超過(guò) 50mA，以避免損壞內(nèi)部漏極開(kāi)路 NMOS。