3 外部電池 FET

遺憾的是，系統(tǒng)負載占空比并非總是已知或變化很大。因此，可能需要添加一個由電池供電并與充電器的內(nèi)部電池 FET (BATFET) 并聯(lián)的外部電池 PMOS FET (PFET)。當(dāng)充電器處于睡眠或高阻態(tài)模式（例如，當(dāng)充電器沒有有效輸入電源）時，外部 PFET 會導(dǎo)通。如果轉(zhuǎn)換器以最大輸入功率進入 DPM，PFET 不會開啟來提供補充電流。PFET 的漏源電壓額定值 V_DS 必須高于充電器的最大 SYS 引腳電壓（通常僅略高于電池穩(wěn)壓電壓）與最小 BAT 引腳電壓之間的差值。如果電池包保護器打開，該差值可以為零。此外，PFET 的柵源電壓額定值 V_GS 必須足夠高，能夠承受最大電池電壓，或者必須增加電阻分壓器或齊納二極管鉗位來保護 PFET 的柵極。PFET 的 R_DSon 必須至少與內(nèi)部電池 FET RDSon 一樣低或更低。FET 的最大閾值電壓 (V_GSth-max) 也可以至少比預(yù)期為 FET 供電的最低電池電壓低 0.5V。例如，BQ25798 的 BATFET 的 R_DSon 典型值為 8mΩ。如果 BQ25798 的電池電壓配置為高達 16.8V（最大值）且不低于 10V（最小值），則 V_GS = -10V 下 R_DSon = 7.8mΩ 且采用 3mm x 3mm 8-DFN-EP 封裝的 Alpha and Omega AONR21357 是外部用于 2S 應(yīng)用的并聯(lián) BATFET。PFET 的源極至柵極上拉電阻 (R_PU) 必須足夠大，以便在 SYS 上無負載時減少電池泄漏（例如，在 MΩ 范圍內(nèi)）；但不能太大（例如大于 10MΩ），不會使 FET 的柵極泄漏（如果很大）導(dǎo)致顯著的壓降。