ZHCAEB4 August 2024 TPS543820 , TPS543A22 , TPSM843620 , TPSM843A22
4 輻射干擾的測(cè)試結(jié)果
以下數(shù)據(jù)是在采用 CISPR32 預(yù)合規(guī)設(shè)置的情況下在 CISPR 室中獲取的。這些結(jié)果未經(jīng)過正式的 CISPR 認(rèn)證。下表匯總了每組測(cè)試的實(shí)驗(yàn)設(shè)置。相關(guān)設(shè)置的照片如圖 4-1 所示。結(jié)果表明輻射發(fā)射顯著改善，僅改變布局即可大幅降低 EMI。
表 4-1 測(cè)試條件
| IC | Vin | Vout | Iout | 開關(guān)頻率 |
|---|---|---|---|---|
| TPS543820 | 12V | 1.2V | 8A | 500kHz |
| TPSM843620 | 12V | 1.2V | 6A | 500kHz |
| TPS543A22 | 12V | 1.2V | 10A | 500kHz |
| TPSM843A22 | 12V | 1.2V | 10A | 500kHz |
圖 4-1 輻射發(fā)射測(cè)試設(shè)置
圖 4-2 TPS543620 EVM 結(jié)果
圖 4-4 TPSM843620 EVM 結(jié)果
圖 4-6 TPS543B22 EVM 結(jié)果
圖 4-8 TPSM843B22 EVM 結(jié)果
圖 4-3 TPS543820 EMI
優(yōu)化型結(jié)果
圖 4-5 TPSM843620 EMI
優(yōu)化型結(jié)果
圖 4-7 TPS543A22 EMI
優(yōu)化型結(jié)果
圖 4-9 TPSM843A22 EMI
優(yōu)化型結(jié)果