雖然控制器設(shè)計(jì)擁有設(shè)計(jì)靈活性，但這通常也意味著更高的設(shè)計(jì)復(fù)雜性，其中一個(gè)方面是 MOSFET 選擇。MOSFET 的選擇對(duì)控制器設(shè)計(jì)的性能有重大影響，并且必須考慮各種規(guī)格，包括：

• MOSFET 導(dǎo)通狀態(tài)電阻或 RDS(on)，此規(guī)格決定功率損耗和熱性能
• 寄生電容，此規(guī)格可縮短轉(zhuǎn)換時(shí)間并降低開關(guān)損耗
• 柵極驅(qū)動(dòng)器電壓，控制器 IC 的額定值各不相同，并確定是否可以使用邏輯和/或標(biāo)準(zhǔn) MOSFET

選擇合適的功率 MOSFET 需要花費(fèi)大量的時(shí)間和設(shè)計(jì)精力。表 5-1 是數(shù)據(jù)表中顯示的典型表，其中概述了在為控制器設(shè)計(jì)選擇 MOSFET 時(shí)必須考慮的所有功率損耗。轉(zhuǎn)換器會(huì)跳過(guò)此設(shè)計(jì)流程，并能更好地表征其性能。

表 5-1 MOSFET 功率損耗

功率損耗模式	高側(cè) MOSFET	低側(cè) MOSFET
MOSFET 導(dǎo)通
MOSFET 開關(guān)		可忽略
MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)
MOSFET 輸出電荷		可忽略
體二極管 導(dǎo)通	不適用
體二極管 反向恢復(fù)