ZHCAEO9 November 2024 CSD13303W1015 , CSD16301Q2 , CSD16321Q5 , CSD16322Q5 , CSD16323Q3 , CSD16325Q5 , CSD16327Q3 , CSD16340Q3 , CSD16342Q5A , CSD16401Q5 , CSD16403Q5A , CSD16404Q5A , CSD16406Q3 , CSD16407Q5 , CSD16408Q5 , CSD16409Q3 , CSD16410Q5A , CSD16411Q3 , CSD16412Q5A , CSD16413Q5A , CSD16414Q5 , CSD16415Q5 , CSD16556Q5B , CSD17301Q5A , CSD17302Q5A , CSD17303Q5 , CSD17304Q3 , CSD17305Q5A , CSD17306Q5A , CSD17307Q5A , CSD17308Q3 , CSD17309Q3 , CSD17310Q5A , CSD17311Q5 , CSD17312Q5 , CSD17313Q2 , CSD17322Q5A , CSD17327Q5A , CSD17381F4 , CSD17501Q5A , CSD17505Q5A , CSD17506Q5A , CSD17507Q5A , CSD17510Q5A , CSD17522Q5A , CSD17527Q5A , CSD17551Q3A , CSD17551Q5A , CSD17552Q3A , CSD17552Q5A , CSD17553Q5A , CSD17555Q5A , CSD17556Q5B , CSD17559Q5 , CSD18501Q5A , CSD18502KCS , CSD18502Q5B , CSD18503KCS , CSD18503Q5A , CSD18504KCS , CSD18504Q5A , CSD18531Q5A , CSD18532KCS , CSD18532NQ5B , CSD18532Q5B , CSD18533KCS , CSD18533Q5A , CSD18534KCS , CSD18534Q5A , CSD18537NKCS , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A , CSD22202W15 , CSD25211W1015 , CSD25213W10 , CSD75207W15 , CSD86311W1723 , CSD86330Q3D , CSD86350Q5D , CSD86360Q5D , CSD87312Q3E , CSD87330Q3D , CSD87331Q3D , CSD87350Q5D , CSD87351Q5D , CSD87351ZQ5D , CSD87352Q5D , CSD87353Q5D , CSD87381P , CSD87588N
絕對最大 VGS 額定值可以是單個值，也可以是單獨的正值和負值，具體取決于柵極結(jié)構(gòu)。如您的 MOSFET 包含哪種類型的 ESD 保護？技術(shù)文章中所述，TI FET 可以具有單端、背對背柵極 ESD 保護或無柵極 ESD 保護。采用單端 ESD 結(jié)構(gòu)的 FET 的絕對最大 VGS 只有一個值。施加極性相反的電壓會使柵源 ESD 二極管正向偏置，從而允許電流流入柵極，并將 VGS 鉗位在結(jié)壓降處?？梢蕴砑右粋€外部柵極電阻器，以限制柵極電流并防止損壞 FET。
具有背對背 ESD 保護或無 ESD 保護的器件具有單獨的正負絕對最大 VGS 值，這些值可以是對稱的（即 ±20V）或非對稱的（即 -12V/+16V）。切勿在 VGS 超過絕對最大規(guī)格的情況下運行 FET，否則 FET 可能會損壞。
表 4-1、表 4-2 和表 4-3 展示了以下 TI N 溝道 MOSFET 的絕對最大額定值示例：
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流（受封裝限制） | 60 | A |
| 持續(xù)漏極電流（受芯片限制），TC = 25°C 時測得 | 123 | ||
| 持續(xù)漏極電流 | 24 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流 | 256 | A |
| PD | 功率耗散 | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 83 | ||
| TJ、 Tstg |
工作結(jié)溫和貯存溫度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 39A，L = 0.1mH，RG = 25? |
76 | mJ |
| TA = 25°C 時測得，除非另有說明 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 30 | V |
| VGS | 柵源電壓 | 12 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流，TA = 25°C | 3.1 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流，TA = 25°C | 12 | A |
| IG | 持續(xù)柵極鉗位電流 | 35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流 | 350 | ||
| PD | 功率耗散 | 500 | mW |
| ESD 等級 | 人體放電模型 (HBM) | 4 | kV |
| 組件充電模式 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg |
運行結(jié)溫和儲存溫度范圍 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 7.4A， L = 0.1mH，RG = 25? |
2.7 | mJ |
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 25 | V |
| VGS | 柵源電壓 | -12 至 16 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流（受封裝限制） | 100 | A |
| 持續(xù)漏極電流（受芯片限制），TC = 25°C 時測得 | 261 | ||
| 持續(xù)漏極電流 | 38 | ||
| IDM | 脈沖漏極電流，TA = 25°C | 200 | A |
| PD | 功率耗散 | 3.2 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 156 | ||
| TJ， Tstg |
工作結(jié)溫和貯存溫度 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，單脈沖 ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25? |
500 | mJ |