ZHCAES0 December 2024 DRV8161 , DRV8162 , DRV8350 , DRV8350F , DRV8353 , DRV8353F
MOSFET 可輸送到電機(jī)的電流取決于 MOSFET 的漏極電流 (ID) 額定值。
若要開(kāi)通 N 型 MOSFET,需要在 FET 的柵極和源極上施加差分電壓以增強(qiáng)通道,從而為電流從漏極流向源極創(chuàng)建一條路徑。圖 3-2 展示了 N 型 MOSFET 的原理圖。
圖 3-2 MOSFET 電路模型要?jiǎng)?chuàng)建該通道,需要為 MOSFET 的柵極電荷電容 (Cg) 充電。通常,MOSFET 的額定電流越大,開(kāi)啟 MOSFET 所需的柵極電荷就越大。