2 分立式 VINDPM 自動(dòng)復(fù)位電路

當(dāng) VSYS 降至 V_{SYS_SHORT} 以下時(shí)，充電器的 REGN 引腳電壓 VREGN 會(huì)下降。兩個(gè) 1MΩ 電阻器、下拉電阻器 R_PD、P 溝道 MOSFET (PFET)、N 溝道 MOSFET (NFET) 和 0.33 至 1μF 電容器經(jīng)配置構(gòu)成了自動(dòng)復(fù)位電路，如 圖 2-1 所示。VREGN 壓降會(huì)通過從電池板上暫時(shí)斷開 VACx 來(lái)觸發(fā) V_INDPM 閾值復(fù)位，這會(huì)使充電器的 VACx 引腳電壓下降。

圖 2-2 顯示了 BQ25798 在未連接電池以及從 SYS 到 GND 的 4Ω 電阻的情況下，與上述電路一同工作的情況。每次仿真電池板輸出電壓降至 V_INDPM 閾值以下但仍高于 UVLO 后，充電器的轉(zhuǎn)換器都會(huì)停止切換，從而導(dǎo)致 VSYS 和 VREGN（淺藍(lán)色的 CH2）下降。正常導(dǎo)通的 NFET 由于與 REGN 耦合的電容作用，會(huì)瞬間關(guān)斷然后再導(dǎo)通。這會(huì)使上拉至太陽(yáng)能電池板電壓的 P 溝道 PFET 先關(guān)斷再導(dǎo)通，導(dǎo)致 VAC1 引腳電壓先降至 UVLO 閾值以下，然后升至新的 VOC 電壓。VAC1 引腳電壓的快速切換在充電器因 VSYS 下降至接地電平而進(jìn)入 HiZ 模式之前重置 V_INDPM 閾值。

表 2-1 顯示了 FET、耦合電容器和下拉電阻器的規(guī)格。充電器的 V_INDPM(MIN) = 3.6V 設(shè)置運(yùn)行所需的最小電池板 MPP 電壓。