PCB 布局對通過 EMI 認(rèn)證至關(guān)重要，尤其在 RE 方面更是如此。建議遵循以下布局指南：

• 由于來自集成變壓器的 H 場，因此在器件兩側(cè)放置接地平面對于通過 RE 認(rèn)證至關(guān)重要。這些接地平面連接到器件兩側(cè)的接地引腳時(shí)，能為開關(guān)環(huán)路提供低阻抗回流路徑。此外，這些平面還可充當(dāng)法拉第屏蔽層來削弱來自變壓器的 H 場。PCB 組裝圖如圖 2-7 所示。
• 高頻去耦電容器必須盡可能靠近輸入輸出引腳放置。0402 電容器外殼尺寸可提供超低的 ESL 和最高的自諧振頻率 (SRF)，從而在 64MHz 基礎(chǔ)開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)低阻抗。為實(shí)現(xiàn)最低阻抗，選擇了 15nF 容值。阻抗與頻率關(guān)系圖如圖 2-9 所示。
• 不建議在 DM 電感器下方放置覆銅。若在電感器下方放置覆銅，會(huì)產(chǎn)生寄生電容，可能導(dǎo)致高頻電流繞過電感器形成旁路。
• 建議在 EMI 濾波器區(qū)域設(shè)置一個(gè)排除區(qū)域 (KOZ)，以避免在開關(guān)環(huán)路中傳播的 HF 電流形成旁路。在本設(shè)計(jì)中，使用了 1 毫米 KOZ。
• 建議將 DM 電感器放置在遠(yuǎn)離噪聲源的位置，以避免與變壓器的 H 場發(fā)生任何耦合。很多時(shí)候，前置穩(wěn)壓器的輸出端已經(jīng)存在 DM 電感器，例如降壓轉(zhuǎn)換器的 LC 濾波器。