7 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴比較

在觀察電源高側(cè) MOSFET 的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴時(shí)，可以看見(jiàn)寄生電感效應(yīng)。仔細(xì)檢查圖 7-1 和圖 7-2 后發(fā)現(xiàn)，增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝設(shè)計(jì)的電壓過(guò)沖比表 7-1 中顯示的 HotRod 封裝設(shè)計(jì)低 0.1V，這是顯而易見(jiàn)的。很難確定電壓振鈴差異的來(lái)源，但可以放心地假設(shè)增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝不會(huì)降低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴性能。不過(guò)，有可能是增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝的機(jī)械結(jié)構(gòu)減小了 IC 的內(nèi)部寄生電感，從而使得高側(cè) MOSFET 的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴略有改進(jìn)。