ZHCT400A august 2020 – August 2020 PCM1860 , PCM1861 , PCM1862 , PCM1863 , PCM1864 , PCM1865 , PCMD3140 , TLV320ADC3120 , TLV320ADC3140 , TLV320ADC5120 , TLV320ADC5140 , TLV320ADC6120 , TLV320ADC6140
對(duì)于必須避免使用 MLCC 的應(yīng)用,存在其他電容器技術(shù)。我們也使用了 TLV320ADC6140 EVM[3] 搭配以下電容器類型執(zhí)行了 THD+N 測試:
圖 4 顯示了該測試的數(shù)據(jù)。正如預(yù)期的那樣,1μF SMT 薄膜電容器在整個(gè)音頻帶寬內(nèi)提供最佳性能,電解電容器次之。該薄膜電容器采用 1206 表面貼裝封裝,包含金屬化丙烯酸電介質(zhì),并具有 12V 額定電壓。
執(zhí)行測試時(shí),其他包含聚酯和聚丙烯電介質(zhì)以及具有更高額定電壓的 1μF 薄膜電容器與圖 4 中所示的性能沒有明顯偏差。薄膜電容器的主要缺點(diǎn)是其相對(duì)介電常數(shù)較低。因此,薄膜電容器往往比對(duì)應(yīng)的 MLCC 電容器大得多。
在文章發(fā)布時(shí),該測試中使用的 1206 電容器是現(xiàn)成可用的最小表面貼裝 1μF 薄膜電容器。大于 3.3μF 的表面貼裝薄膜電容器將需要 1810 或更大的封裝,或傳統(tǒng)的穿孔盒式封裝。
另一方面,鉭和鋁電解電容器往往比薄膜電容器更小。電解電容器具有極化電介質(zhì),這意味著其陽極必須保持比陰極更高的電壓,否則電容器可能會(huì)損壞。對(duì)這些電容器進(jìn)行的兩組測量可以論證電解效應(yīng)。第一項(xiàng)測試對(duì)電容器施加了 +5V 直流偏置以確保極性正確。第二項(xiàng)測試沒有應(yīng)用外部偏置,但用于測試的 TLV320ADC6140 在內(nèi)部將其輸入偏置為 1.5V,因此這些電容器實(shí)際上略微反向偏置。由于這種內(nèi)部偏置,在 +5V 測試用例的評(píng)估模塊輸入端提供的是 +6.5V 電壓。通過比較這兩組數(shù)據(jù)可以看出,當(dāng)極化電容器未正確偏置時(shí),性能會(huì)有顯著差異。高性能應(yīng)用必須保證正直流偏置,或避免使用極化電容器進(jìn)行交流耦合。
這項(xiàng)測試并非詳盡無遺;僅用于對(duì)不同電容器技術(shù)的性能提供一些大致分析。影響電容器性能的因素有很多,因此應(yīng)根據(jù)應(yīng)用需求仔細(xì)選擇電容器。關(guān)于電容器的最佳指標(biāo),音頻社區(qū)存在很多爭論。本文重點(diǎn)介紹了電容器差異如何影響實(shí)際應(yīng)用中的失真。
圖 4 使用非陶瓷電容器時(shí)的 THD + N 變化圖 5 顯示了用于測試的電路板,表 2 顯示了此測試中包含的所有電容器及其各自的特性。
| 數(shù)量 | 類型 | 值 | 電壓 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 陶瓷 X5R | 2.2μF | 16V | 0805 |
| 2 | 陶瓷 X5R | 4.7μF | 16V | 0805 |
| 3 | 陶瓷 X5R | 10μF | 16V | 0805 |
| 4 | 陶瓷 X5R | 47μF | 6.3V | 1206 |
| 5 | 陶瓷 X5R | 1μF | 16V | 0805 |
| 6 | 金屬膜 | 1μF | 12V | 1206 |
| 7 | 鉭 | 1μF | 35V | 1206 |
| 8 | 鋁電解電容器 | 1μF | 50V | 徑向穿孔 |
| 未顯示 | 橙色滴膜 | 1μF | 100 V | 徑向穿孔 |
| 未顯示 | WIMA 膜 | 1μF | 50V | 發(fā)送 |
| 未顯示 | 陶瓷 X7R | 4.7μF | 16V | 0805 |
圖 5 評(píng)估模塊和測試的電容器