ZHCUB48 june 2023
瞬態(tài)噪聲可通過(guò)電容隔離或磁隔離進(jìn)行耦合，從而在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)之間產(chǎn)生共模電流。這會(huì)發(fā)射 EMI，還會(huì)因較大的返回路徑而加劇。Y 電容可將初級(jí)地和次級(jí)地連接在一起，從而最大限度減小共模電流返回路徑。Y 電容可有效用作高通濾波器，為次級(jí)側(cè)高頻信號(hào)返回初級(jí)側(cè)創(chuàng)建低阻抗路徑。通過(guò)使用 PCB 的內(nèi)層在初級(jí)地和次級(jí)地之間形成一個(gè) Y 電容 (20pF)，TPSI2072-Q1 EVM 可包含一個(gè)層間拼接電容器。連接 J11 跳線可啟用層間拼接電容器。有關(guān)層間拼接電容器的更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告，采用 ISOW7841 集成式信號(hào)和電源隔離器的低發(fā)射設(shè)計(jì)。