ZHCUCO1 December 2024
LMG2656EVM-102 僅報告低側(cè)過熱故障。低側(cè)過熱保護功能變?yōu)橛行Ш螅現(xiàn)LT 引腳上會報告低側(cè)過熱故障。FLT 引腳是低電平有效的開漏輸出，因此該引腳會在出現(xiàn)低側(cè)過熱故障時拉至低電平。有關運行詳細信息，請參閱 LMG2656 具有集成驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 250mΩ GaN 半橋數(shù)據(jù)表。
GDH 引腳以 SW 為基準并用于導通和關斷高側(cè) GaN 功率 FET。GDH 引腳與使用高側(cè)參考信號來控制高側(cè) GaN 功率 FET 的控制器兼容。LMG2656 旨在與 INH 引腳或控制高側(cè) GaN 功率 FET 的 GDH 引腳配合使用。
LMG2656EVM-102 使用與兩根跳線 SH-J1 和 SH-J2 配對的接頭 J2 和 J3 來設置高側(cè) PWM 輸入信號引腳。默認情況下，GDH 短接至 SW，INH 短接至數(shù)字接頭 J1，而 J1 與相應的 TI 主板或自定義電路相連。
要將 GDH 引腳用作高側(cè)輸入信號，INH 必須通過跳線 SH-J2 接地。在接頭 J3 的引腳 2 和 3 之間移動此跳線，以將 LMG2656 的 INH 引腳連接到 AGND。接下來，移除跳線 SH-J1 以暴露接頭 J2，該接頭現(xiàn)在是高側(cè)柵極信號的輸入。如果使用波形發(fā)生器，請確保接地端懸空，并在 J2 的引腳 1 和 2 之間連接信號。正信號連接到 GDH，負信號連接到 SW。