ZHDU011 December 2025
2.2.1 EVM 設(shè)置
本節(jié)介紹了用于器件評(píng)估的 EVM 的典型設(shè)置和操作。圖 2-3 顯示了使用兩個(gè)電源運(yùn)行 ISOW6441DWEEVM 的典型測試配置。VDDL
圖 2-3 EVM 典型測試設(shè)置ISOW6441DWEEVM 具有很多 DNP 電阻器，為了將 EVM 設(shè)置為所需的運(yùn)行測試條件，用戶可以選擇組裝或不組裝這些電阻器。表 2-1 列出并介紹了可通過組裝各種電阻器和跳線選項(xiàng)實(shí)現(xiàn)的所有測試配置。
表 2-1 元件配置
| 元件 | 說明 |
|---|---|
| R1 | 該引腳將 LDO 的 U1、U2 輸入連接到一起，從而僅允許使用一個(gè)電源而不是兩個(gè)電源。 |
| R2、R15、R18 | 組裝 R15 會(huì)繞過 LDO U1，從而能夠直接從外部電源為 VDD 供電。組裝 R15 時(shí)，R2 和 R18 需要保持拆下狀態(tài)，以斷開 LDO。未旁路 LDO 時(shí)，LDO 的建議輸入電壓必須在 9V 和 12V 之間 |
| R5、R7、R9、R11、R13 | 將 LDO U1 輸出電壓設(shè)為 5V 或 3.3V，用于 VDD。僅使用 0Ω 電阻器組裝 R5 和 R9，以將 LDO U1 輸出電壓設(shè)置為 5V（默認(rèn)配置）。僅使用 0Ω 電阻器組裝 R7、R11 和 R13， 以將 LDO U1 輸出電壓設(shè)置為 3.3V。 |
| R3、R16、R19 | 僅用于“V”型號(hào)器件。組裝 R16 會(huì)繞過 LDO U2，從而能夠直接從外部電源為 VDDL 供電。組裝 R16 時(shí)，R3 和 R19 需要保持拆下狀態(tài)，以斷開 LDO。未旁路 LDO 時(shí)，LDO 的建議輸入電壓必須在 9V 和 12V 之間。 |
| R4、R6、R8、R10、R12、R14 | 僅用于“V”型號(hào)器件。將 LDO U2 輸出電壓設(shè)為 5V 或 3.3V 或 2.5V，用于 VDDL。僅使用 0Ω 電阻器組裝 R4 和 R10，以將 LDO U2 輸出電壓設(shè)置為 5V（默認(rèn)配置）。僅使用 0Ω 電阻器組裝 R6、R12 和 R14， 以將 LDO U2 輸出電壓設(shè)置為 3.3V。僅使用 0Ω 電阻器組裝 R8、R12 和 R14， 以將 LDO U2 輸出電壓設(shè)置為 2.5V。 |
| R22、R23、R24 | 這些電阻器允許將一個(gè)輸入信號(hào)連接到多個(gè)輸入通道。 |
| R17 | 該引腳它將振蕩器 U3 輸出信號(hào)連接到 U4 輸入端，從而允許使用測試信號(hào)來測試 EVM，而無需任何外部測試信號(hào)輸入。 |
| R20、R21 | 僅組裝 R20 會(huì)將 U3 輸出信號(hào)的頻率設(shè)為 2.5MHz (5Mbps)，而同時(shí)組裝 R20 和 R21 則會(huì)將該頻率設(shè)為 5MHz (10Mbps)。 |
| R35、R36、R37 | 這些電阻器允許將一個(gè)輸出信號(hào)連接到多個(gè)輸入通道。 |
| R29、R30 | 組裝 R29 會(huì)將 VISO 設(shè)為 5V，組裝 R30 會(huì)將該引腳設(shè)置為 3.3V。只需組裝這兩個(gè)電阻器中的一個(gè)。 |
| R38、R39、R40、R41 | 可以組裝這些電阻器中的一個(gè)或多個(gè)，方便將外部負(fù)載施加到 VISO。 |
| C16、C17、C19、C14 | 可選電容器，用于在初級(jí)側(cè)的數(shù)據(jù)線路上進(jìn)行噪聲濾波。 |
| C33。C31、C32、C34 | 可選電容器，用于在次級(jí)側(cè)的數(shù)據(jù)線路上進(jìn)行噪聲濾波。 |
| J4 | 跳線選項(xiàng)，用于向 U3 振蕩器上電或斷電。 |