1 引言

半導體封裝技術(shù)在過去 20 年里取得了長足的進步，特別是在集成了功率金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的直流/直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域。Single-outline No-lead 和 Quad Flat No-lead (QFN) 封裝已取代穿孔和引線式封裝，能夠以極小的外形處理高輸出電流。新的封裝技術(shù)有助于解決更小型的半導體封裝通常會面臨的設(shè)計和布局方面的挑戰(zhàn)，并且新的 QFN 封裝技術(shù)可用于直流/直流轉(zhuǎn)換器，與傳統(tǒng)的引線鍵合和倒裝芯片 QFN 封裝相比有所改進。遺憾的是，直流/直流轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生并散發(fā)大量熱量，而且會受封裝和電路板寄生效應(yīng)的影響，并且由于芯片不同，封裝技術(shù)的比較通常并無定論。

在本文中，我們將采用兩個負載點直流/直流轉(zhuǎn)換器，并使用相同芯片提供最高達 20A 的電流，以便直接比較傳統(tǒng)倒裝芯片 HotRod? 封裝和新型倒裝芯片增強型 HotRod? QFN 封裝，展示二者在熱性能、開關(guān)節(jié)點振鈴、瞬態(tài)、效率和布局方面的差異，進而幫助您確定增強型 HotRod QFN 封裝是否更適用于您的應(yīng)用，以及它是否有助于改善電源密度和性能以消除因采用新技術(shù)而產(chǎn)生的任何潛在質(zhì)疑。