Gallium nitride (GaN) motor drivers
借助氮化鎵 (GaN) 智能電源模塊 (IPM) 和半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，更大限度地提高電源效率并縮小解決方案尺寸
我們的集成式 GaN 技術(shù)可實(shí)現(xiàn) 99% 以上的逆變器效率，從而顯著提高熱性能并更大限度地減少功率損耗。先進(jìn)的集成和更高的功率密度可縮減解決方案尺寸并降低系統(tǒng)級(jí)成本。超低的死區(qū)時(shí)間和傳播延遲可提高聲學(xué)性能、減少電流諧波并實(shí)現(xiàn)高精度的電流檢測(cè)。更高的電源效率、零反向恢復(fù)、精確的壓擺率控制以及短路和過(guò)流保護(hù)可提高系統(tǒng)可靠性并延長(zhǎng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的使用壽命。?
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相關(guān)類別
我們的 GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
我們的 GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成了低導(dǎo)通電阻 GaN FET，與硅基技術(shù)相比，電源效率可提高多達(dá) 2%，并且功率損耗可降低 50% 或以上。
延長(zhǎng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的使用壽命
集成的壓擺率控制和多級(jí)保護(hù)有助于進(jìn)一步減少電機(jī)發(fā)熱、更大限度提高電源效率并在電機(jī)使用壽命期間增強(qiáng)絕緣。提供極佳性能和耐用性。
實(shí)現(xiàn)安靜平滑的電機(jī)運(yùn)行
借助 TI GaN，可通過(guò)更高的開(kāi)關(guān)頻率、低傳播延遲、更大程度降低電流諧波并縮短死區(qū)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)更安靜的運(yùn)行和更平滑的扭矩。
將解決方案尺寸縮小 50%
與硅器件相比，通過(guò) GaN 提供超高的功率密度并減少外部系統(tǒng)元件可縮小系統(tǒng)尺寸，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊、更高效的設(shè)計(jì)。
特色技術(shù)
GaN IPM 簡(jiǎn)介
與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 相比，使用氮化鎵 (GaN) 構(gòu)建的智能電源模塊 (IPM) 可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
優(yōu)勢(shì)：
- 該功率級(jí)具有 >99% 的效率，無(wú)需散熱器等冷卻元件，從而可提高整體效率并縮減電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)尺寸。
- <150ns 死區(qū)時(shí)間和傳播延遲以及更高的脈寬調(diào)制開(kāi)關(guān)頻率，可減少電流失真，從而提高聲學(xué)性能。
白皮書(shū)
三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能
閱讀 GaN 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，并了解 GaN 如何提高電機(jī)效率。
GaN 半橋簡(jiǎn)介
與傳統(tǒng)的硅 MOSFET 相比，氮化鎵 (GaN) 半橋功率級(jí)可提供出色的功率密度和更緊湊的封裝尺寸。
優(yōu)勢(shì)：
- 借助 GaN 半橋功率級(jí)，可將 PCB 尺寸縮小 50% 以上。
- 在高開(kāi)關(guān)頻率 (100kHz) 下將功率損耗降低高達(dá) 50%。
- 支持使用陶瓷電容器，從而提高可靠性和性能。
參考設(shè)計(jì)
具有工業(yè)通信功能的 48V 1kw 機(jī)器人關(guān)節(jié)聯(lián)合電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)
在 70mm PCB 上安裝 DRV7167 GaN 半橋和 TI Sitara? AM261x MCU，用于類人機(jī)器人關(guān)節(jié)（48V、1kW）的工業(yè)以太網(wǎng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)。高功率密度、實(shí)時(shí)控制和系統(tǒng)測(cè)試正在進(jìn)行中。
技術(shù)文章
通過(guò)基于 GaN 的電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)提高家電能效并節(jié)省成本
探索 GaN 技術(shù)與無(wú)刷直流電機(jī)系統(tǒng)的結(jié)合如何幫助提高消費(fèi)者的生活水平。
實(shí)現(xiàn)GaN 半橋驅(qū)動(dòng)器的特色產(chǎn)品
了解特色應(yīng)用
技術(shù)資源
技術(shù)文章
通過(guò)基于 GaN 的電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)提高家電能效并節(jié)省成本
我們將探索 GaN 與無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)系統(tǒng)的結(jié)合如何幫助提高消費(fèi)者的生活水平。
視頻
借助 DRV7308 GaN IPM 設(shè)計(jì)更高效的緊湊型電機(jī)系統(tǒng)
借助我們適用于 150W 至 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 DRV7308 GaN 智能電源模塊 (IPM)，設(shè)計(jì)更小巧、更安靜、更高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
白皮書(shū)
三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能
基于 GaN 的 IPM 不斷發(fā)展，將持續(xù)助力提高電器和 HVAC 系統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度、功率傳輸和效率，同時(shí)節(jié)省系統(tǒng)成本并提高可靠性。