DRV7167
100V 70A 半橋 GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器功率級
DRV7167
- 具有集成驅(qū)動(dòng)器、支持 48V 系統(tǒng)的 100V 半橋 GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器功率級
- 低 GaN 導(dǎo)通狀態(tài)電阻
- TA=25°C 時(shí),RDS(ON) 為 2.2mΩ(每個(gè) FET)
- 實(shí)現(xiàn)高效、高密度的功率轉(zhuǎn)換
- 高輸出電流能力:70Arms、250A(脈沖式,300μs)
- 支持高達(dá) 500kHz 的 PWM 開關(guān)頻率
- 出色的傳播延遲(典型值 20ns)和匹配(典型值 2ns)
- 兩個(gè) FET 的導(dǎo)通和關(guān)斷壓擺率控制
- 用于優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中死區(qū)時(shí)間的零電壓檢測 (ZVD) 報(bào)告
- IO 數(shù)量受限的控制器的單 PWM 輸入選項(xiàng)
- 5V 外部輔助電源
- 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
- 集成式保護(hù)功能
- 獨(dú)立輸入模式 (IIM) 下的短路保護(hù)
- 內(nèi)部自舉電源電壓調(diào)節(jié),可防止 GaN FET 過驅(qū)動(dòng)
- 基于 VDS 監(jiān)測的逐周期短路保護(hù)
- 過熱、欠壓和短路事件的故障指示
- 電源軌欠壓鎖定保護(hù)
- 封裝經(jīng)過優(yōu)化,便于 PCB 布局
- 外露式頂部 QFN 封裝,實(shí)現(xiàn)頂面散熱
- 大型 GND 焊盤實(shí)現(xiàn)底面散熱
DRV7167A 是一款 100V 半橋功率級,具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個(gè) 100V GaN FET,它們采用半橋配置并由一個(gè)高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢極為顯著,因?yàn)樗鼈兊姆聪蚧謴?fù)為零,而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。所有器件均安裝在一個(gè)完全無鍵合線的封裝平臺上,盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝,可輕松安裝在 PCB 上。
無論 GVDD 電壓如何,TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓調(diào)節(jié)技術(shù)確保了增強(qiáng)模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全工作范圍內(nèi)。該器件支持兩個(gè) FET 的導(dǎo)通和關(guān)斷壓擺率控制、與 IO 數(shù)量受限的控制器配合使用的單 PWM 模式、短路保護(hù) (SCP)、過熱檢測 (OTD) 以及盡可能縮短第三象限導(dǎo)通時(shí)間的零電壓檢測 (ZVD) 報(bào)告。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色,進(jìn)一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運(yùn)行的應(yīng)用來說,該器件是理想的解決方案。
技術(shù)文檔
| 頂層文檔 | 類型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | DRV7167A 100V 、 70A 半橋 GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器功率級 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 10月 2日 |
| 應(yīng)用手冊 | 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) | 2008年 10月 16日 |
設(shè)計(jì)與開發(fā)
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TIDA-010979 — 具有工業(yè)通信功能的 48v 1kw 機(jī)器人關(guān)節(jié)聯(lián)合電機(jī)控制參考設(shè)計(jì)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
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