具有邏輯電平轉(zhuǎn)換功能的汽車類 20V、2:1 (SPDT)、3 通道模擬多路復(fù)用器

產(chǎn)品詳情

Configuration 2:1 SPDT Number of channels 3 Power supply voltage - single (V) 5, 12, 16, 20 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-2.5, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 125 CON (typ) (pF) 9 ON-state leakage current (max) (μA) 1 Supply current (typ) (μA) 0.04 Bandwidth (MHz) 30 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.01 Rating Automotive Drain supply voltage (max) (V) 20 Supply voltage (max) (V) 20 Negative rail supply voltage (max) (V) 0
Configuration 2:1 SPDT Number of channels 3 Power supply voltage - single (V) 5, 12, 16, 20 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-2.5, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 125 CON (typ) (pF) 9 ON-state leakage current (max) (μA) 1 Supply current (typ) (μA) 0.04 Bandwidth (MHz) 30 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features Break-before-make Input/output continuous current (max) (A) 0.01 Rating Automotive Drain supply voltage (max) (V) 20 Supply voltage (max) (V) 20 Negative rail supply voltage (max) (V) 0
SOIC (D) 16 59.4 mm2 9.9 x 6
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
    • 溫度等級 1：–45°C 至 +125°C，TA
  • 各種數(shù)字和模擬信號電平：
    • 數(shù)字：3V 至 20V
    • 模擬：≤ 20VP-P
  • 在 VDD – VEE = 18V 時的 15VP-P 信號輸入范圍內(nèi)，具有 125?（典型值）的低導(dǎo)通電阻
  • 在 VDD – VEE = 18V、通道泄漏電流為 ±100pA（典型值）時，具有高關(guān)斷電阻
  • 適用于 3V 至 20V（VDD – VSS = 3V 至 20V）數(shù)字尋址信號的邏輯電平轉(zhuǎn)換功能，可將模擬信號切換至與 20VP-P (VDD – VEE = 20V) 相匹配的開關(guān)特性，VDD – VEE = 15V 時，rON = 5?（典型值），在所有數(shù)字控制輸入和電源條件下，具有極低的靜態(tài)功率耗散，在 VDD – VSS = VDD – VEE = 10V 時，功率耗散為 0.2μW（典型值）
  • 二進(jìn)制地址片上解碼
  • 5V、10V 和 15V 參數(shù)額定值
  • 針對 20V 下的靜態(tài)電流進(jìn)行了 100% 測試
  • 在整個封裝溫度范圍內(nèi)，18V 時的最大輸入電流為 1μA，18V 和 25°C 時為 100nA
  • 先斷后合開關(guān)消除了通道重疊
  • 與業(yè)界通用 4053 多路復(fù)用器兼容的引腳
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
    • 溫度等級 1：–45°C 至 +125°C，TA
  • 各種數(shù)字和模擬信號電平：
    • 數(shù)字：3V 至 20V
    • 模擬：≤ 20VP-P
  • 在 VDD – VEE = 18V 時的 15VP-P 信號輸入范圍內(nèi)，具有 125?（典型值）的低導(dǎo)通電阻
  • 在 VDD – VEE = 18V、通道泄漏電流為 ±100pA（典型值）時，具有高關(guān)斷電阻
  • 適用于 3V 至 20V（VDD – VSS = 3V 至 20V）數(shù)字尋址信號的邏輯電平轉(zhuǎn)換功能，可將模擬信號切換至與 20VP-P (VDD – VEE = 20V) 相匹配的開關(guān)特性，VDD – VEE = 15V 時，rON = 5?（典型值），在所有數(shù)字控制輸入和電源條件下，具有極低的靜態(tài)功率耗散，在 VDD – VSS = VDD – VEE = 10V 時，功率耗散為 0.2μW（典型值）
  • 二進(jìn)制地址片上解碼
  • 5V、10V 和 15V 參數(shù)額定值
  • 針對 20V 下的靜態(tài)電流進(jìn)行了 100% 測試
  • 在整個封裝溫度范圍內(nèi)，18V 時的最大輸入電流為 1μA，18V 和 25°C 時為 100nA
  • 先斷后合開關(guān)消除了通道重疊
  • 與業(yè)界通用 4053 多路復(fù)用器兼容的引腳

CD4053B-Q1 模擬多路復(fù)用器和多路信號分離器是數(shù)字控制的模擬開關(guān)，具有低接通阻抗和極低的關(guān)斷漏電流。這些多路復(fù)用器電路在整個 VDD – VSS 和 VDD – VEE 電源電壓范圍內(nèi)，消耗的靜態(tài)功率極低，而不受控制信號的邏輯狀態(tài)影響。

CD4053B-Q1 模擬多路復(fù)用器和多路信號分離器是數(shù)字控制的模擬開關(guān)，具有低接通阻抗和極低的關(guān)斷漏電流。這些多路復(fù)用器電路在整個 VDD – VSS 和 VDD – VEE 電源電壓范圍內(nèi)，消耗的靜態(tài)功率極低，而不受控制信號的邏輯狀態(tài)影響。
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* 數(shù)據(jù)表 CD4053B-Q1 具有邏輯電平轉(zhuǎn)換功能的汽車類 CMOS 單路 8 通道模擬多路復(fù)用器或多路信號分離器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 3月 5日

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點