我們的無源和分立式元件可在小型封裝選項中提供高性能，適用于各種應(yīng)用。器件包括保護二極管、高精度硅基線性熱敏電阻、超低噪聲結(jié)型場效應(yīng)晶體管、固定頻率振蕩器和精密薄膜電阻器。我們的技術(shù)進步有助于可靠地保護您的系統(tǒng)，增強設(shè)計集成，提供功能和性能，同時減小解決方案尺寸并降低功耗。
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使用我們先進的分立式技術(shù)簡化您的設(shè)計流程
可靠地保護您的系統(tǒng)免受 ESD 和浪涌事件的影響
我們的靜電放電 (ESD)、瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 和齊納二極管產(chǎn)品系列包含多種封裝和電壓選項。
優(yōu)勢：
- <0.5pF ESD 二極管能夠保護速度高達 30GHz 的數(shù)據(jù)線路，從而確保正常運行期間的信號完整性。
- 平緩鉗位 TVS 技術(shù)提供了一種用于耗散浪涌瞬變的可靠解決方案，具有精確、平穩(wěn)、不受溫度影響的鉗位電壓，可更大限度地減小施加到受保護系統(tǒng)的殘余電壓。
- 該產(chǎn)品系列中的汽車級器件可滿足對需要高達 30kV 保護電壓的系統(tǒng)的嚴格標準。
白皮書
Flat-Clamp surge protection technology for efficient system protection
我們的平緩鉗位 TVS 二極管如何以及為何能夠提供超越傳統(tǒng) TVS 解決方案的浪涌保護。
通過薄膜 SiCr 電阻器網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)高性能電路
我們的薄膜硅鉻電阻器網(wǎng)絡(luò)采用交錯技術(shù)來實現(xiàn)較高的元件間匹配，并具有抗老化和溫度應(yīng)力的能力。
優(yōu)勢：
- 薄膜 SiCr 以小巧的外形實現(xiàn)高度交錯，同時提供比厚膜解決方案更低的閃爍噪聲。
- 片上交錯可以有效地使多個電阻器占據(jù)晶圓上的同一位置，從而確保晶圓上薄膜電阻材料的任何變化都會對所有電阻器產(chǎn)生同等影響。
- 匹配的電阻器可實現(xiàn)極低的比例溫度系數(shù)，典型漂移為 0.2ppm/°C 或更低。
應(yīng)用手冊
使用精密匹配電阻分壓器對優(yōu)化差分放大器電路中的 CMRR
深入了解差分信號以及使用比率匹配的精密電阻網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)高共模抑制比的優(yōu)勢。
產(chǎn)品概述
精密電阻器網(wǎng)絡(luò)簡介
該精密電阻器網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品概述包括設(shè)計注意事項、示例應(yīng)用以及與匹配電阻器相關(guān)的參數(shù)說明。
通過 Burr-Brown? JFET 實現(xiàn)低噪聲、高阻抗傳感器和音頻電路
與集成放大器相比，分立式結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 可以實現(xiàn)低得多的噪聲和相對較低的功耗，因此非常適合電感式傳感器，這些傳感器可能需要具有低電壓和低電流噪聲的放大器。
優(yōu)勢：
- 具有與雙極結(jié)型晶體管類似的極低水平寬帶電壓噪聲，但具有極低電流噪聲的額外優(yōu)勢。
- 單通道靈活性和雙通道匹配選項。
- 一對以單片方式裝配在同一芯片上的 JFET 的匹配效果比單個晶體管要好得多，從而可以防止高增益電路中引入直流失調(diào)電壓。
應(yīng)用簡報
Ultra-Low-Noise JFET Preamplifier Design for High Impedance Sensors.
探索適用于高阻抗傳感器的超低噪聲 JFET 前置放大器設(shè)計，通過比較拓撲結(jié)構(gòu)在不同源阻抗下平衡電流消耗和噪聲性能。
應(yīng)用簡報
Trade-offs Between CMOS, JFET, and Bipolar Input Stage Technology
了解如何區(qū)分 CMOS、JFET 和雙極運算放大器技術(shù)，重點關(guān)注噪聲、輸入阻抗、失調(diào)電壓和漂移方面的權(quán)衡，以指導(dǎo)為低噪聲應(yīng)用選擇器件。
應(yīng)用手冊
JFE2140 超低噪聲前置放大器
了解如何在復(fù)合放大器中使用 JFET 和運算放大器來放大來自高阻抗傳感器的小信號，重點關(guān)注音頻應(yīng)用的穩(wěn)定性和降噪。
實現(xiàn)精確的熱監(jiān)測，同時降低系統(tǒng)復(fù)雜性
線性硅基熱敏電阻可在整個溫度范圍內(nèi)保持高靈敏度，從而提高性能和可靠性。
優(yōu)勢：
- 無需線性化電路或基于硬件的電阻器-電容器濾波器。
- 與負溫度系數(shù) (NTC) 熱敏電阻相比，可執(zhí)行更快、更準確的軟件轉(zhuǎn)換，同時降低存儲器要求。
- 無需多點校準，即可實現(xiàn)比 NTC 熱敏電阻高多達 50% 的精度。
- 由于熱質(zhì)量較低，在較高溫度下可實現(xiàn)幾乎 300% 的響應(yīng)速度和更高的靈敏度。
- 產(chǎn)品系列包括 TI 功能安全型器件和時基故障率/故障模式分布文檔。
- 低自發(fā)熱可更大限度地減少長期傳感器溫漂。
用戶指南
NTC 熱敏電阻至 TMP6 線性熱敏電阻更換指南
本用戶指南介紹了將 NTC 熱敏電阻系統(tǒng)轉(zhuǎn)換為線性硅基熱敏電阻系統(tǒng)時的硬件和軟件設(shè)計注意事項。
應(yīng)用手冊
Achieve ±1°C Accuracy or Better Across Temp. W/Low-Cost TMP6x Linear Thermistors
本應(yīng)用手冊提供了使用 TMP6x 線性硅基熱敏電阻實現(xiàn)更高精度的步驟和偽代碼。與 NTC 不同，在任何溫度下只需進行單點校準，即可實現(xiàn)更高的精度。
充分利用我們的振蕩器中 BAW 技術(shù)的優(yōu)勢
體聲波 (BAW) 諧振器在現(xiàn)有石英和微電子機械諧振器技術(shù)的基礎(chǔ)上進行了許多改進。我們的產(chǎn)品系列包括具有 1MHz 至 400MHz 頻率、業(yè)界通用封裝、低功耗和寬電源電壓范圍的振蕩器。
優(yōu)勢：
- 基于 BAW 的晶體振蕩器提供出色的可靠性（針對振動和沖擊、故障間隔平均時間 (MTBF)、溫度穩(wěn)定性、老化和環(huán)境因素等）。
- 實現(xiàn)了小于 100fs 的均方根抖動。
- 使用 BAW 振蕩器替代石英振蕩器無需任何設(shè)計或印刷電路板布局布線更改。
應(yīng)用手冊
獨立 BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢
本應(yīng)用報告詳細介紹了 TI BAW 技術(shù)，將 BAW 諧振器與振蕩器電路集成以形成獨立振蕩器，以及使用 BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢。
應(yīng)用手冊
TI BAW 振蕩器的振動和機械沖擊性能
本文提供了有關(guān) BAW 振蕩器在嚴格正弦、隨機振動和機械沖擊條件下性能的詳細信息，并介紹了各種軍用標準 883 測試方法、測試設(shè)置和性能。
應(yīng)用手冊
高可靠性 BAW 振蕩器 MTBF 和時基故障率計算
本文提供了 MTBF 和時基故障值的計算和結(jié)果，以實現(xiàn) BAW 振蕩器的最佳 MTBF，并提供了這些計算的步驟。
技術(shù)資源
產(chǎn)品概述
精密電阻器網(wǎng)絡(luò)簡介
本文檔詳細概述了精密電阻器網(wǎng)絡(luò)，重點介紹匹配電阻器對、其配置、比率和應(yīng)用，尤其是在放大器中。
視頻系列
接口保護入門
該培訓(xùn)頁面包括幾個有關(guān)靜電放電和浪涌保護設(shè)計注意事項的簡短視頻。通過章節(jié)式模塊按照自己的進度學(xué)習(xí)。
應(yīng)用手冊
獨立 BAW 振蕩器相對于石英晶體振蕩器的優(yōu)勢
了解 BAW 振蕩器相對于石英振蕩器的優(yōu)勢，包括更出色的靈活性、溫度穩(wěn)定性和抖動性能。