產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Rating Automotive Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Functional Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Number of channels 2 Rating Automotive Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Functional Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 450 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 707VRMS、1000VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉換
  • 默認輸出高電平 (ISO652x-Q1) 和低電平 (ISO652xF-Q1) 選項
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 窄體 SOIC (8-D) 封裝選項

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設計和布局布線技術，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標準。

ISO652x-Q1 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應用隔離的成本敏感、空間受限型應用。該隔離柵支持 450VRMS 的工作電壓，以及 1000VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 或者低電壓互補金屬氧化物半導體 (LVCMOS) 數(shù)字 I/O 的同時，ISO652x-Q1 器件還可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。ISO6520-Q1 具有 2 個同向隔離通道。ISO6521-Q1 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認輸出低電平。更多詳細信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線上的混合電壓域系統(tǒng)（例如 CAN 和 LIN）之間的接地環(huán)路和噪聲電流導致數(shù)據(jù)損壞。得益于芯片設計和布局布線技術，ISO652x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標準。
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設計與開發(fā)

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評估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數(shù)字信號的雙通道功能隔離器評估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來測試各種常見應用。此 EVM 還具有多個測試點，支持使用較少的外部元件來評估相應器件。

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包含信息：
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  • REACH
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  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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