產(chǎn)品詳情

Number of channels 2 Rating Catalog Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Functional Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Number of channels 2 Rating Catalog Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Functional Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, UART CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (REU) 8 6 mm2 3 x 2
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項
  • 雙通道 CMOS 輸出功能隔離器
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的 SiO2 隔離柵（CMTI 典型值為 ±150kV/μs）
  • 功能隔離(8-EEU)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 功能隔離(8-D)：
    • 450VRMS、637VDC 工作電壓
    • 2000VRMS、2828VDC 瞬態(tài)電壓 (60s)
  • 采用爬電距離大于 2.2mm 的緊湊型 8-REU 封裝
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出高電平 (ISO652x) 和低電平 (ISO652xF) 選項
  • 寬溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 時每通道電流典型值為 1.8mA
  • 低傳播延遲：3.3V 時為 11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌抗擾度
    • 超低輻射
  • 無引線 DFN (8-REU) 封裝和窄體 SOIC (8-D) 封裝選項

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發(fā)射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設(shè)計和布局布線技術(shù)， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。

ISO652x 器件是高性能雙通道功能隔離器，適用于需要與非安全應(yīng)用隔離的成本敏感、空間受限型應(yīng)用。該隔離柵支持 450VRMS/637VDC 的工作電壓，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬態(tài)過壓。

在隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時， 器件可提供高電磁抗擾度、低發(fā)射和低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離。 ISO6520 具有 2 個同向隔離通道。 ISO6521 具有 2 個隔離通道，每個方向各一個通道。如果輸入功率或信號出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出低電平。更多詳細(xì)信息，請參見器件功能模式部分。

這些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。得益于芯片設(shè)計和布局布線技術(shù)， 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級 ESD 問題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。
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技術(shù)文檔

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設(shè)計與開發(fā)

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評估板

ISO6521REUEVM — ISO6521 適用于數(shù)字信號的雙通道功能隔離器評估模塊

ISO6521REUEVM 是一款用于評估采用 8 引腳 DFN 封裝的雙通道 ISO6521 功能隔離器的評估模塊 (EVM)。此 EVM 具有其他封裝，可讓用戶靈活地添加元件來測試各種常見應(yīng)用。此 EVM 還具有多個測試點(diǎn)，支持使用較少的外部元件來評估相應(yīng)器件。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

ISO6521 IBIS Model

SLLM505.ZIP (81 KB) - IBIS Model
下載
參考設(shè)計

PMP23547 — 基于 GaN 的 8kW 三相圖騰柱功率因數(shù)校正和三相 LLC 參考設(shè)計

該參考設(shè)計為高密度、高效率的 8kW 電源。第一級是三角導(dǎo)通模式 (TCM) 功率因數(shù)校正 (PFC) 轉(zhuǎn)換器，后跟一個與 Δ-Δ 連接的三相電感器-電感器-電容器 (LLC) 轉(zhuǎn)換器。這兩個功率級均采用 TI 高性能氮化鎵 (GaN) 電源開關(guān)實現(xiàn)。該 PFC 在基于零電流檢測 (ZCD) 的控制機(jī)制中采用三相圖騰柱 PFC。該控制方法可以變頻運(yùn)行，并在整體運(yùn)行條件下保持零電壓開關(guān) (ZVS)。該控制通過 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 感測功能的 LMG3527R030 GaN 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)。轉(zhuǎn)換器的工作頻率范圍約介于 70kHz 和 (...)
測試報告: PDF
參考設(shè)計

PMP23421 — 多相四開關(guān)降壓/升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一款基于氮化鎵 (GaN) 的數(shù)字控制四開關(guān)降壓/升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，用于電池備份 (BBU) 應(yīng)用。此設(shè)計共有七個相位。其中，六個相位并聯(lián)，用于實現(xiàn)電池放電操作，可提供高達(dá) 8.1kW 的放電功率；第七相位階段用于電池充電操作。該轉(zhuǎn)換器可根據(jù) VIN 和 VOUT 電壓在降壓、降壓/升壓或升壓模式下工作，并在每種模式之間平穩(wěn)轉(zhuǎn)換。
測試報告: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

視頻