產(chǎn)品詳情

Number of channels 6 Rating Automotive Forward/reverse channels 5 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, SPI, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.26 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.95 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 6 Rating Automotive Forward/reverse channels 5 forward / 1 reverse Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 Protocols GPIO, PWM, SPI, UART Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 7071 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5000 CMTI (min) (V/μs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (μs) 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.26 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.95 Creepage (min) (mm) 8 Clearance (min) (mm) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DW) 16 106.09 mm2 10.3 x 10.3
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500 V RMS 工作電壓下具有超長(zhǎng)的壽命
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5000 V RMS
    • 浪涌能力高達(dá) 10kV
    • CMTI 典型值為 ±150 kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出 高電平 (ISO676x -Q1) 和 低電平 (ISO676xF -Q1) 選項(xiàng)
  • 1Mbps 時(shí)的每通道電流典型值為 1.6mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證
  • 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
    • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 滿足 VDA320 隔離要求
  • 50Mbps 數(shù)據(jù)速率
  • 穩(wěn)健可靠的隔離柵：
    • 在 1500 V RMS 工作電壓下具有超長(zhǎng)的壽命
    • 隔離等級(jí)高達(dá) 5000 V RMS
    • 浪涌能力高達(dá) 10kV
    • CMTI 典型值為 ±150 kV/μs
  • 寬電源電壓范圍：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 電平轉(zhuǎn)換
  • 默認(rèn)輸出 高電平 (ISO676x -Q1) 和 低電平 (ISO676xF -Q1) 選項(xiàng)
  • 1Mbps 時(shí)的每通道電流典型值為 1.6mA
  • 低傳播延遲：11ns（典型值）
  • 優(yōu)異的電磁兼容性 (EMC)
    • 系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌抗擾性
    • 低輻射
  • 寬體 SOIC (DW-16) 封裝
  • 安全相關(guān)認(rèn)證：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 認(rèn)證

ISO676x -Q1 器件是高性能六通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 的 5000 V RMS 隔離額定值，非常適合具有此類需求的成本敏感型應(yīng)用。這些器件還通過(guò)了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認(rèn)證。

在隔離 CMOS 或者 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時(shí)， ISO676x-Q1 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO 2) 絕緣柵相隔離。ISO676x 系列器件采用所有可能的引腳配置，因此所有六個(gè)通道都可以處于同一方向，或者一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)通道處于反向，而其余通道處于正向。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出 高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出 低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件功能模式部分。

這些器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)和布線技術(shù)， ISO676x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問(wèn)題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。 ISO676x-Q1 系列器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 封裝，是對(duì)前幾代器件的引腳到引腳的升級(jí)。

ISO676x -Q1 器件是高性能六通道數(shù)字隔離器，可提供符合 UL 1577 的 5000 V RMS 隔離額定值，非常適合具有此類需求的成本敏感型應(yīng)用。這些器件還通過(guò)了 VDE、TUV、CSA 和 CQC 認(rèn)證。

在隔離 CMOS 或者 LVCMOS 數(shù)字 I/O 的同時(shí)， ISO676x-Q1 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射，同時(shí)具備低功耗特性。每條隔離通道的邏輯輸入和輸出緩沖器均由 TI 的雙電容二氧化硅 (SiO 2) 絕緣柵相隔離。ISO676x 系列器件采用所有可能的引腳配置，因此所有六個(gè)通道都可以處于同一方向，或者一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)通道處于反向，而其余通道處于正向。如果輸入功率或信號(hào)出現(xiàn)損失，不帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出 高電平，帶后綴 F 的器件默認(rèn)輸出 低電平。更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)器件功能模式部分。

這些器件與隔離式電源結(jié)合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等數(shù)據(jù)總線上的噪聲電流損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設(shè)計(jì)和布線技術(shù)， ISO676x-Q1 器件的電磁兼容性得到了顯著增強(qiáng)，可緩解系統(tǒng)級(jí) ESD、EFT 和浪涌問(wèn)題并符合輻射標(biāo)準(zhǔn)。 ISO676x-Q1 系列器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (DW) 封裝，是對(duì)前幾代器件的引腳到引腳的升級(jí)。
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* 數(shù)據(jù)表 EMC 性能優(yōu)異的 ISO676x-Q1 通用六通道自動(dòng)增強(qiáng)型數(shù)字隔離器 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 6月 1日
證書(shū) VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Z) 2026年 1月 8日
證書(shū) UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) 2025年 9月 8日
證書(shū) CQC Certificate for ISOxxDWx (Rev. K) 2025年 8月 18日
證書(shū) TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) 2025年 8月 15日
證書(shū) CSA Certificate for ISO676xDW (Rev. A) 2023年 2月 15日
功能安全信息 ISO6761/ISO6761-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA PDF | HTML 2022年 3月 9日
應(yīng)用手冊(cè) 所選封裝材料的熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì) 2008年 10月 16日

設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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評(píng)估板

DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評(píng)估模塊

DIGI-ISO-EVM 是一個(gè)評(píng)估模塊 (EVM)，用于評(píng)估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件：8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項(xiàng)，支持使用超少的外部元件來(lái)評(píng)估相應(yīng)器件。

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SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

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  • 引腳鍍層/焊球材料
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  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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