ISO722M
- 100Mbps 和 150Mbps 信令速率選項(xiàng)
- 傳播延遲為 12ns(典型值)。
- 脈沖偏移為 0.5ns(典型值)。
- 低功耗睡眠模式
-
額定工作電壓下的使用壽命典型值為 28 年(請參閱隔離壽命預(yù)測)
- 高電磁抗擾度
- 失效防護(hù)輸出
- 大多數(shù)光隔離器和磁隔離器的直接替代產(chǎn)品
- 由 3.3V 和 5V 電源供電
- -40°C 至 +125°C 工作溫度范圍
- 安全相關(guān)認(rèn)證:
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- UL 1577 組件認(rèn)證計(jì)劃
- IEC 61010-1、IEC 62368-1 認(rèn)證
ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件是數(shù)字隔離器,其邏輯輸入和輸出緩沖器由二氧化硅 (SiO2) 絕緣隔柵進(jìn)行隔離。該隔離柵可提供符合 VDE 0884-17 標(biāo)準(zhǔn)、高達(dá) 4000VPK 的電隔離。與隔離式電源一起使用時(shí),這些器件可防止數(shù)據(jù)總線或者其他電路上的噪聲電流進(jìn)入本地接地并且干擾或損壞敏感電路。
對二進(jìn)制輸入信號進(jìn)行調(diào)理并轉(zhuǎn)換為平衡的信號,然后由隔離層進(jìn)行差分??缭皆摳綦x層,差分比較器可接收邏輯轉(zhuǎn)換信息,然后相應(yīng)地設(shè)置或重置觸發(fā)器和輸出電路。電路將跨越隔離層發(fā)送定期更新脈沖,以提供適當(dāng)?shù)闹绷鬏敵鲭娖健?/p>
如果沒有接收到該直流刷新脈沖的時(shí)間超過 4µs,則輸入被視為未通電或未被主動(dòng)驅(qū)動(dòng),失效防護(hù)電路會(huì)將輸出驅(qū)動(dòng)至邏輯高電平狀態(tài)。
這些器件需要兩個(gè) 3.3V 和 5V 電源電壓或二者的任意組合。通過 3.3V 電源供電時(shí),所有輸入均可耐受 5V 電壓,所有輸出均為 4mA CMOS。
ISO722 和 ISO722M 器件包含一個(gè)低電平有效輸出使能端,當(dāng)被驅(qū)動(dòng)至高邏輯電平時(shí),該使能端會(huì)將輸出置于高阻抗?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉內(nèi)部偏置電路以節(jié)省功耗。
ISO721 和 ISO722 器件具有 TTL 輸入閾值,并且在輸入端具有噪聲濾波器,可防止持續(xù)時(shí)間高達(dá) 2ns 的瞬態(tài)脈沖傳遞到器件的輸出端。
ISO721M 和 ISO722M 器件具有 CMOS VCC/2 輸入閾值,但沒有輸入噪聲濾波器和額外的傳播延遲。ISO721M 器件的這些特性還可以實(shí)現(xiàn)低抖動(dòng)運(yùn)行。
ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 –40°C 至 +125°C。
技術(shù)文檔
設(shè)計(jì)和開發(fā)
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DIGI-ISO-EVM — 通用數(shù)字隔離器評估模塊
DIGI-ISO-EVM 是一個(gè)評估模塊 (EVM),用于評估 TI 采用以下五種不同封裝的任何單通道、雙通道、三通道、四通道或六通道數(shù)字隔離器器件:8 引腳窄體 SOIC (D)、8 引腳寬體 SOIC (DWV)、16 引腳寬體 SOIC (DW)、16 引腳超寬體 SOIC (DWW) 和 16 引腳 QSOP (DBQ) 封裝。此 EVM 具有足夠的 Berg 引腳選項(xiàng),支持使用超少的外部元件來評估相應(yīng)器件。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)