產(chǎn)品詳情

Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (μs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (μs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
Rating Space Product type Analog transistor output Input type DC Output type Analog transistor Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Number of channels 1 Current transfer ratio (CTR) (min) (%) 100 Current transfer ratio (CTR) (max) (%) 155 Forward voltage (typ) (V) 1.2 Forward current (IF) (max) (mA) 30 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Turnon time (enable) (μs) 3.5, 5.7 Turnoff time (disable) (μs) 3.6, 8, 10 Creepage (min) (mm) 5 Clearance (min) (mm) 5
SOIC (DFG) 4 24.57 mm2 3.51 x 7
  • 輻射性能
    • 電離輻射總劑量 (TID) 特征值（無 ELDRS）高達 50krad(Si)
    • TID RLAT 高達 30krad(Si)
    • 單粒子鎖定 (SEL) 在 125°C 下對 LET 的抗擾度高達 43MeV-cm2/mg
    • 單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子瞬變 (SET) 對于 LET 的額定值高達 43MeV-cm2/mg
  • 增強型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規(guī)格要求
    • 軍用級溫度范圍（-55°C 至 125°C）
  • 單通道二極管輸入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 時的電流傳輸比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集電極-發(fā)射極電壓：VCE（最大值）= 30V
  • 穩(wěn)健 SiO2 隔離柵
    • 隔離等級：3750VRMS
    • 工作電壓：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高達 10kV
  • 響應時間：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 時為 3μs（典型值）
  • 小型 4 引腳封裝 (DFG)
  • 安全相關認證：
    • UL 1577 認證
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準進行的認證
  • 輻射性能
    • 電離輻射總劑量 (TID) 特征值（無 ELDRS）高達 50krad(Si)
    • TID RLAT 高達 30krad(Si)
    • 單粒子鎖定 (SEL) 在 125°C 下對 LET 的抗擾度高達 43MeV-cm2/mg
    • 單粒子功能中斷 (SEFI) 和單粒子瞬變 (SET) 對于 LET 的額定值高達 43MeV-cm2/mg
  • 增強型航天塑料（航天 EP）
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規(guī)格要求
    • 軍用級溫度范圍（-55°C 至 125°C）
  • 單通道二極管輸入
  • IF = 5mA、VCE = 5V 時的電流傳輸比 (CTR)：100% 至 155%
  • 高集電極-發(fā)射極電壓：VCE（最大值）= 30V
  • 穩(wěn)健 SiO2 隔離柵
    • 隔離等級：3750VRMS
    • 工作電壓：500VRMS，707VPK
    • 浪涌能力：高達 10kV
  • 響應時間：VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 時為 3μs（典型值）
  • 小型 4 引腳封裝 (DFG)
  • 安全相關認證：
    • UL 1577 認證
    • 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準進行的認證

ISOS510 抗輻射 器件是一款具有晶體管輸出的單通道電流驅動模擬隔離器。與其他電流驅動型模擬隔離器相比，該器件具有顯著的可靠性和性能優(yōu)勢，包括高帶寬、低關斷延遲、低功耗、更寬的溫度范圍、平坦的電流傳輸比 (CTR)，以及因嚴格的工藝控制而實現(xiàn)的極小器件間偏差。這些性能優(yōu)勢可在整個輻射、溫度和使用壽命范圍內保持穩(wěn)定。

ISOS510 采用引腳間距為 2.54mm 的小型 SOIC-4 封裝，支持 3.75kVRMS 隔離額定值。ISOS510 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于航空航天和國防應用，例如隔離式直流/直流模塊中的反饋環(huán)路、衛(wèi)星推進電源處理單元、航天器電池管理系統(tǒng)等。

ISOS510 抗輻射 器件是一款具有晶體管輸出的單通道電流驅動模擬隔離器。與其他電流驅動型模擬隔離器相比，該器件具有顯著的可靠性和性能優(yōu)勢，包括高帶寬、低關斷延遲、低功耗、更寬的溫度范圍、平坦的電流傳輸比 (CTR)，以及因嚴格的工藝控制而實現(xiàn)的極小器件間偏差。這些性能優(yōu)勢可在整個輻射、溫度和使用壽命范圍內保持穩(wěn)定。

ISOS510 采用引腳間距為 2.54mm 的小型 SOIC-4 封裝，支持 3.75kVRMS 隔離額定值。ISOS510 器件具有高性能和高可靠性，因此可用于航空航天和國防應用，例如隔離式直流/直流模塊中的反饋環(huán)路、衛(wèi)星推進電源處理單元、航天器電池管理系統(tǒng)等。
下載 觀看帶字幕的視頻 視頻

技術文檔

star =有關此產(chǎn)品的 TI 精選熱門文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 2
頂層文檔 類型 標題 格式選項 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 ISOS510-SEP 具有晶體管輸出的 抗 輻射電流驅動模擬隔離器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 8月 19日
應用手冊 所選封裝材料的熱學和電學性質 2008年 10月 16日

設計與開發(fā)

如需其他信息或資源，請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看（如有）。

評估板

ISOM-EVM — 通用光耦仿真器評估模塊

ISOM-EVM 支持評估采用 5 引腳 DFF、4 引腳 DFG、4 引腳 DFH 和 4 引腳 DFS SOIC 封裝的 TI 光耦仿真器。通過更改 EVM 配置和元件值，可以重新配置該評估模塊 (EVM)，以對不同的光耦仿真器、不同的輸入信號或其他應用進行評估。該 EVM 沒有在電路板上安裝光耦仿真器 IC，允許用戶安裝自己選擇的兼容 IC。用戶可以將電路板分為三個單獨的單元來單獨測試印刷電路板。
用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DFG) 4 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

視頻