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LM66100-Q1

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具有集成式 FET 的汽車類 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管

產(chǎn)品詳情

Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.5 FET Integrated single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.00015 Iq (max) (mA) 0.0003 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) 46 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00012 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.5 FET Integrated single FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Automotive Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 1.5 Iq (typ) (mA) 0.00015 Iq (max) (mA) 0.0003 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) 46 Design support EVM Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.00012 Product type Ideal diode controller
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm2 2 x 2.1
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
    • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 寬工作電壓范圍：1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向關(guān)斷電壓： 絕對最大值為 –6V
  • 最大持續(xù)電流 (IMAX)：1.5A
  • 導(dǎo)通電阻 (RON)：
    • 5V VIN = 79mΩ（典型值）
    • 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
    • 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
  • 啟用比較器芯片 (CE)
  • 通道狀態(tài)指示 (ST)
  • 低電流消耗：
    • 3.6V VIN 關(guān)斷電流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
    • 3.6V VIN 靜態(tài)電流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：
    • 器件溫度等級 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 寬工作電壓范圍：1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向關(guān)斷電壓： 絕對最大值為 –6V
  • 最大持續(xù)電流 (IMAX)：1.5A
  • 導(dǎo)通電阻 (RON)：
    • 5V VIN = 79mΩ（典型值）
    • 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
    • 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
  • 啟用比較器芯片 (CE)
  • 通道狀態(tài)指示 (ST)
  • 低電流消耗：
    • 3.6V VIN 關(guān)斷電流 (ISD,VIN)：120nA（典型值）
    • 3.6V VIN 靜態(tài)電流 (IQ, VIN)：150nA（典型值）

LM66100-Q1 是一款單輸入單輸出 (SISO) 集成式理想二極管，是各種應(yīng)用的理想之選。該器件包含一個可在 1.5V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 P 溝道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持續(xù)電流。

該芯片通過比較 CE 引腳電壓和輸入電壓來提供支持。當(dāng) CE 引腳電壓高于輸入電壓時，該器件被禁用并且 MOSFET 關(guān)斷。當(dāng) CE 引腳電壓比較低時，MOSFET 開啟。LM66100-Q1 還具有反極性保護(hù) (RPP) 功能，可保護(hù)器件不受輸入接線錯誤的影響，例如電池裝反。

可在 ORing 配置中使用兩個 LM66100-Q1 器件，其實施方法與雙二極管 ORing 相似。在此配置中，該器件將最高輸入電壓傳遞到輸出端，同時阻斷反向電流流入輸入電源。這些器件可比較輸入和輸出電壓，從而確保內(nèi)部電壓比較器成功阻斷反向電流。

LM66100-Q1 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝，工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 150°C。

LM66100-Q1 是一款單輸入單輸出 (SISO) 集成式理想二極管，是各種應(yīng)用的理想之選。該器件包含一個可在 1.5V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運行的 P 溝道 MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持續(xù)電流。

該芯片通過比較 CE 引腳電壓和輸入電壓來提供支持。當(dāng) CE 引腳電壓高于輸入電壓時，該器件被禁用并且 MOSFET 關(guān)斷。當(dāng) CE 引腳電壓比較低時，MOSFET 開啟。LM66100-Q1 還具有反極性保護(hù) (RPP) 功能，可保護(hù)器件不受輸入接線錯誤的影響，例如電池裝反。

可在 ORing 配置中使用兩個 LM66100-Q1 器件，其實施方法與雙二極管 ORing 相似。在此配置中，該器件將最高輸入電壓傳遞到輸出端，同時阻斷反向電流流入輸入電源。這些器件可比較輸入和輸出電壓，從而確保內(nèi)部電壓比較器成功阻斷反向電流。

LM66100-Q1 采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝，工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 150°C。
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* 數(shù)據(jù)表 LM66100-Q1 具有輸入極性保護(hù)功能的 5.5V、1.5A、79mΩ、汽車類低 IQ 理想二極管 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 5月 4日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

LM66100EVM — LM66100 ±6V、1.5A 低 IQ 理想二極管評估模塊

LM66100 評估模塊 (EVM) 是經(jīng)過封裝測試的電路，用于評估 LM66100 理想二極管。LM66100EVM 允許用戶在不同的負(fù)載條件（0A 至 1.5A）下施加不同的輸入電壓（1.5V 至 5.5V），并評估諸如雙 ORing 和反極性保護(hù)等配置。
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模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設(shè)計和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設(shè)計和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫，您可對復(fù)雜的混合信號設(shè)計進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時間并降低開發(fā)成本。?

在?PSpice for TI 設(shè)計和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
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