LMG3100R044
- 集成式 1.7mΩ (LMG3100R017) 或 4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET 和驅(qū)動器
- 100V 連續(xù) 120V 脈沖式電壓額定值
- 集成了高側(cè)電平轉(zhuǎn)換和自舉
- 兩個 LMG3100 可構成一個半橋
- 無需外部電平轉(zhuǎn)換器
- 5V 外部輔助電源
- 支持 3.3V 和 5V 輸入邏輯電平
- 高壓擺率開關，低振鈴
- 柵極驅(qū)動器支持高達 10MHz 的開關頻率
- 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位，可防止 GaN FET 過驅(qū)動
- 電源軌欠壓鎖定保護
- 低功耗
- 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于 PCB 布局
- 外露式頂部 QFN 封裝，實現(xiàn)頂面散熱
- 底部大型外露焊盤，實現(xiàn)底面散熱
LMG3100 器件是一款具有集成驅(qū)動器的 100V 連續(xù)、120V 脈沖氮化鎵 (GaN) FET。該器件提供兩種 Rds (on) 和最大電流型號，即 126A/1.7mΩ (LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。該器件包含一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此兩個 LMG3100 器件可用于形成半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。
GaN FET 在功率轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅(qū)動器和 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內(nèi)。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優(yōu)勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。
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查看全部 1 | 頂層文檔 | 類型 | 標題 | 格式選項 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 具有集成驅(qū)動器的 100V GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025年 3月 26日 |
設計與開發(fā)
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評估板
LMG3100EVM-089 — LMG3100 評估模塊
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信號的緊湊且易于使用的功率級。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓撲。該 EVM 具有兩個 LMG3100 電源模塊，每個模塊均配有一個帶集成驅(qū)動器的 100V 1.7mΩ GaN FET。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。