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LMG3650R070

正在供貨

具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm2 9.9 x 11.68
  • 具有集成式柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V 70mΩ GaN 功率 FET
    • >200V/ns FET 釋抑
    • 可調(diào)壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
      • 10V/ns 至 100V/ns 導(dǎo)通壓擺率
      • 10V/ns 至全速關(guān)斷壓擺率
    • 可在電源引腳和輸入邏輯引腳電壓范圍為 9V 至 26V 的情況下運(yùn)行
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時(shí)間 <300ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
    • 可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級(jí)電源管理
    • LMG3656R070 包括零電壓檢測（ZVD）功能，便于轉(zhuǎn)換器的軟切換，
    • LMG3657R070 包括零電流檢測（ZCD）功能，可促進(jìn)轉(zhuǎn)換器的軟切換，
  • 帶有散熱焊盤的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封裝
  • 具有集成式柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V 70mΩ GaN 功率 FET
    • >200V/ns FET 釋抑
    • 可調(diào)壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI
      • 10V/ns 至 100V/ns 導(dǎo)通壓擺率
      • 10V/ns 至全速關(guān)斷壓擺率
    • 可在電源引腳和輸入邏輯引腳電壓范圍為 9V 至 26V 的情況下運(yùn)行
  • 強(qiáng)大的保護(hù)
    • 響應(yīng)時(shí)間 <300ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
    • 可承受 720V 浪涌
    • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)
  • 高級(jí)電源管理
    • LMG3656R070 包括零電壓檢測（ZVD）功能，便于轉(zhuǎn)換器的軟切換，
    • LMG3657R070 包括零電流檢測（ZCD）功能，可促進(jìn)轉(zhuǎn)換器的軟切換，
  • 帶有散熱焊盤的 9.8mm × 11.6mm TOLL 封裝

LMG365xR070 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度允許獨(dú)立地控制導(dǎo)通和最大關(guān)斷壓擺率，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。導(dǎo)通壓擺率從 10V/ns 到 100V/ns 不等，而關(guān)斷壓擺率限制在 10V/ns 至最大值之間。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期過流限制，以及短路和過熱保護(hù)。LMG3651R070 在 LDO5V 引腳上提供 5V LDO 輸出，可用于為外部數(shù)字隔離器供電。LMG3656R070 包含零電壓檢測 (ZVD) 功能，可在實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí)提供來自 ZVD 引腳的脈沖輸出。LMG3657R070 包含零電流檢測 (ZCD) 功能，可在漏源電流為負(fù)時(shí)將 ZCD 引腳設(shè)置為高電平，并在檢測到過零點(diǎn)時(shí)轉(zhuǎn)換為低電平。

LMG365xR070 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，能夠讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度與效率。

可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度允許獨(dú)立地控制導(dǎo)通和最大關(guān)斷壓擺率，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。導(dǎo)通壓擺率從 10V/ns 到 100V/ns 不等，而關(guān)斷壓擺率限制在 10V/ns 至最大值之間。保護(hù)特性包括欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期過流限制，以及短路和過熱保護(hù)。LMG3651R070 在 LDO5V 引腳上提供 5V LDO 輸出，可用于為外部數(shù)字隔離器供電。LMG3656R070 包含零電壓檢測 (ZVD) 功能，可在實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)時(shí)提供來自 ZVD 引腳的脈沖輸出。LMG3657R070 包含零電流檢測 (ZCD) 功能，可在漏源電流為負(fù)時(shí)將 ZCD 引腳設(shè)置為高電平，并在檢測到過零點(diǎn)時(shí)轉(zhuǎn)換為低電平。
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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG365xR070 650V 70 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 12月 1日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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子卡

LMG3650EVM-115 — LMG3650R070 子卡

LMG3650 子卡配有兩個(gè) LMG3650R070 650V GaN FET，在半橋配置中集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，具有所有必要的偏置電路和邏輯/電源電平轉(zhuǎn)換。基本功率級(jí)和柵極驅(qū)動(dòng)、高頻電流環(huán)路在板上是全封閉的，以最大程度地減少電源環(huán)路的寄生電感，從而減少電壓過沖，提升性能。插槽式外部連接配置了此子卡，可方便地與外部功率級(jí)連接，在各種應(yīng)用中運(yùn)行 LMG3650R070。在使用此子卡之前，請參閱 LMG3650R070 數(shù)據(jù)表。

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封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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