SN74CB3T3306

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具有電平轉(zhuǎn)換器的 3.3V、1:1 (SPST)、2 通道 FET 總線開關(guān)

產(chǎn)品詳情

Protocols Analog, I2C, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 100 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog, I2C, UART Configuration 1:1 SPST Number of channels 2 Bandwidth (MHz) 100 Supply voltage (max) (V) 3.6 Ron (typ) (mΩ) 5000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 4.5 CON (typ) (pF) 4 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 8000 VIH (min) (V) 1.7 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SSOP (DCT) 8 11.8 mm2 2.95 x 4 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm2 2 x 3.1
  • Output Voltage Translation Tracks VCC
  • Supports Mixed-Mode Signal Operation on All Data
    I/O Ports
    • 5-V Input Down to 3.3-V Output Level Shift
      With 3.3-V VCC
    • 5-V/3.3-V Input Down to 2.5-V Output Level Shift
      With 2.5-V VCC
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up or
    Powered Down
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low ON-State Resistance (ron) Characteristics (ron =
    5 Ω Typical)
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading
    (Cio(OFF) = 4.5 pF Typical)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 20 μA Maximum)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels (0.8
    V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V
    CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per
    JESD 17
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Digital Applications:
    • Level Translation
    • USB Interface
    • Bus Isolation
  • Ideal for Low-Power Portable Equipment
  • Output Voltage Translation Tracks VCC
  • Supports Mixed-Mode Signal Operation on All Data
    I/O Ports
    • 5-V Input Down to 3.3-V Output Level Shift
      With 3.3-V VCC
    • 5-V/3.3-V Input Down to 2.5-V Output Level Shift
      With 2.5-V VCC
  • 5-V Tolerant I/Os With Device Powered Up or
    Powered Down
  • Bidirectional Data Flow With Near-Zero
    Propagation Delay
  • Low ON-State Resistance (ron) Characteristics (ron =
    5 Ω Typical)
  • Low Input/Output Capacitance Minimizes Loading
    (Cio(OFF) = 4.5 pF Typical)
  • Data and Control Inputs Provide Undershoot
    Clamp Diodes
  • Low Power Consumption (ICC = 20 μA Maximum)
  • VCC Operating Range From 2.3 V to 3.6 V
  • Data I/Os Support 0- to 5-V Signaling Levels (0.8
    V, 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V, 5 V)
  • Control Inputs Can Be Driven by TTL or 5-V/3.3-V
    CMOS Outputs
  • Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
  • Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per
    JESD 17
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2000-V Human Body Model (A114-B, Class II)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101)
  • Supports Digital Applications:
    • Level Translation
    • USB Interface
    • Bus Isolation
  • Ideal for Low-Power Portable Equipment

The SN74CB3T3306 device is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. The device fully supports mixed-mode signal operation on all data I/O ports by providing voltage translation that tracks VCC. The SN74CB3T3306 device supports systems using 5-V TTL, 3.3-V LVTTL, and 2.5-V CMOS switching standards, as well as user-defined switching levels.

The SN74CB3T3306 device is a high-speed TTL-compatible FET bus switch with low ON-state resistance (ron), allowing for minimal propagation delay. The device fully supports mixed-mode signal operation on all data I/O ports by providing voltage translation that tracks VCC. The SN74CB3T3306 device supports systems using 5-V TTL, 3.3-V LVTTL, and 2.5-V CMOS switching standards, as well as user-defined switching levels.
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 SN74CB3T3306 Dual FET Bus Switch 2.5-V/3.3-V Low-Voltage Bus Switch With 5-V Tolerant Level Shifter 數(shù)據(jù)表 (Rev. C) PDF | HTML 2015年 12月 31日
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選擇指南 邏輯器件指南 2014 (Rev. AA) 最新英語版本 (Rev.AC) PDF | HTML 2014年 11月 17日
用戶指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
應(yīng)用手冊(cè) 選擇正確的電平轉(zhuǎn)換解決方案 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2006年 3月 23日
更多文獻(xiàn)資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
應(yīng)用手冊(cè) Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用戶指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
應(yīng)用手冊(cè) Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

如需其他信息或資源，請(qǐng)點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看（如有）。

評(píng)估板

DIP-ADAPTER-EVM — DIP 適配器評(píng)估模塊

借助 DIP-Adapter-EVM 加快運(yùn)算放大器的原型設(shè)計(jì)和測(cè)試，該 EVM 有助于快速輕松地連接小型表面貼裝 IC 并且價(jià)格低廉。您可以使用隨附的 Samtec 端子板連接任何受支持的運(yùn)算放大器，或者將這些端子板直接連接至現(xiàn)有電路。

DIP-Adapter-EVM 套件支持六種常用的業(yè)界通用封裝，包括：

  • D 和 U (SOIC-8)
  • PW (TSSOP-8)
  • DGK（MSOP-8、VSSOP-8）
  • DBV（SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3）
  • DCK（SC70-6 和 SC70-5）
  • DRL (SOT563-6)
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
接口適配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉(zhuǎn) DIP 接頭適配器，用于快速測(cè)試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。

EVM-LEADED1 電路板可用于對(duì) TI 的常見引線式封裝進(jìn)行快速測(cè)試和電路板試驗(yàn)。? 該電路板具有足夠的空間，可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面貼裝封裝轉(zhuǎn)換為 100mil DIP 接頭。?????

用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

SN74CB3T3306 IBIS Model

SCDM015.ZIP (25 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SSOP (DCT) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

可獲得 TI 工程師技術(shù)支持的 TI E2E? 論壇

所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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