SN74CBT3383C

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具有 –2V 下沖保護(hù)的 5V、交叉點(diǎn)/交換、10 通道 FET 總線開關(guān)

產(chǎn)品詳情

Protocols Analog Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 5.5 Ron (typ) (mΩ) 3000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 8 CON (typ) (pF) 18.5 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 12000 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols Analog Configuration Crosspoint/exchange Number of channels 10 Bandwidth (MHz) 200 Supply voltage (max) (V) 5.5 Ron (typ) (mΩ) 3000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) -40 to 85 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 8 CON (typ) (pF) 18.5 OFF-state leakage current (max) (μA) 10 Ron (max) (mΩ) 12000 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
SOIC (DW) 24 159.65 mm2 15.5 x 10.3 SSOP (DBQ) 24 51.9 mm2 8.65 x 6 TSSOP (PW) 24 49.92 mm2 7.8 x 6.4
  • 針對 A 端口和 B 端口上的斷開隔離提供高達(dá) ?2V 的下沖保護(hù)
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
  • 低導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (ron) 特性（ron 典型值 = 3?）
  • 低輸入和輸出電容可更大程度減小負(fù)載和信號失真（Cio(OFF) 典型值 = 8pF）
  • 數(shù)據(jù)與控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗（ICC 最大值為 3μA）
  • VCC 工作范圍為 4V 至 5.5V，數(shù)據(jù) I/O 支持 0 至 5V 的信號電平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V）
  • 控制輸入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 輸出驅(qū)動
  • Ioff 支持局部關(guān)斷模式運(yùn)行
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范
  • ESD 性能測試符合 JESD 22? 2000V 人體放電模型（A114-B，II 類）? 1000V 充電器件模型 (C101) 標(biāo)準(zhǔn)
  • 支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用：PCI 接口、內(nèi)存交錯、總線隔離、低失真信號門控
  • 針對 A 端口和 B 端口上的斷開隔離提供高達(dá) ?2V 的下沖保護(hù)
  • 具有接近零傳播延遲的雙向數(shù)據(jù)流
  • 低導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (ron) 特性（ron 典型值 = 3?）
  • 低輸入和輸出電容可更大程度減小負(fù)載和信號失真（Cio(OFF) 典型值 = 8pF）
  • 數(shù)據(jù)與控制輸入提供下沖鉗位二極管
  • 低功耗（ICC 最大值為 3μA）
  • VCC 工作范圍為 4V 至 5.5V，數(shù)據(jù) I/O 支持 0 至 5V 的信號電平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V）
  • 控制輸入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 輸出驅(qū)動
  • Ioff 支持局部關(guān)斷模式運(yùn)行
  • 閂鎖性能超過 100mA，符合 JESD 78 II 類規(guī)范
  • ESD 性能測試符合 JESD 22? 2000V 人體放電模型（A114-B，II 類）? 1000V 充電器件模型 (C101) 標(biāo)準(zhǔn)
  • 支持?jǐn)?shù)字和模擬應(yīng)用：PCI 接口、內(nèi)存交錯、總線隔離、低失真信號門控

SN74CBT3383C 是一種具備低導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 總線交換開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)超短傳播延遲。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下沖保護(hù)電路可檢測下沖事件并確保開關(guān)保持正常斷開狀態(tài)，從而對高達(dá) −2V 的下沖事件提供保護(hù)。

SN74CBT3383C 可配置為 10 位總線開關(guān)，或具有單路輸出使能 (be) 輸入的 5 位總線交換開關(guān)，可在四個信號端口之間提供數(shù)據(jù)交換。選擇 (BX) 輸入可控制總線交換開關(guān)的數(shù)據(jù)路徑。當(dāng) BE 為低電平時，A 端口連接到 B 端口，從而實(shí)現(xiàn)端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng) BE 為高電平時，A 和 B 端口之間為高阻抗?fàn)顟B(tài)。

該器件完全符合使用 Ioff 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用的規(guī)范要求。Ioff 特性確保在關(guān)斷時防止損壞電流通過器件回流。該器件可在關(guān)斷時提供隔離。

為確保上電或斷電期間的高阻抗?fàn)顟B(tài)，應(yīng)通過一個上拉電阻器將 BE 連接至 VCC；該電阻器的最小阻值由驅(qū)動器的電流吸收能力來決定。

SN74CBT3383C 是一種具備低導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 總線交換開關(guān)，可實(shí)現(xiàn)超短傳播延遲。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下沖保護(hù)電路可檢測下沖事件并確保開關(guān)保持正常斷開狀態(tài)，從而對高達(dá) −2V 的下沖事件提供保護(hù)。

SN74CBT3383C 可配置為 10 位總線開關(guān)，或具有單路輸出使能 (be) 輸入的 5 位總線交換開關(guān)，可在四個信號端口之間提供數(shù)據(jù)交換。選擇 (BX) 輸入可控制總線交換開關(guān)的數(shù)據(jù)路徑。當(dāng) BE 為低電平時，A 端口連接到 B 端口，從而實(shí)現(xiàn)端口之間的雙向數(shù)據(jù)流。當(dāng) BE 為高電平時，A 和 B 端口之間為高阻抗?fàn)顟B(tài)。

該器件完全符合使用 Ioff 的部分?jǐn)嚯姂?yīng)用的規(guī)范要求。Ioff 特性確保在關(guān)斷時防止損壞電流通過器件回流。該器件可在關(guān)斷時提供隔離。

為確保上電或斷電期間的高阻抗?fàn)顟B(tài)，應(yīng)通過一個上拉電阻器將 BE 連接至 VCC；該電阻器的最小阻值由驅(qū)動器的電流吸收能力來決定。
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* 數(shù)據(jù)表 SN74CBT3383C 10 位 FET 總線交換開關(guān)具有 ?2V 下沖保護(hù)的 5V 總線開關(guān) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 12月 6日
選擇指南 Logic Guide (Rev. AC) PDF | HTML 2025年 11月 13日
應(yīng)用手冊 選擇正確的德州儀器 (TI) 信號開關(guān) (Rev. E) PDF | HTML 英語版 (Rev.E) PDF | HTML 2022年 8月 5日
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應(yīng)用簡報 利用關(guān)斷保護(hù)信號開關(guān)消除電源時序 (Rev. C) 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2021年 10月 21日
選擇指南 Little Logic Guide 2018 (Rev. G) 2018年 7月 6日
應(yīng)用手冊 Understanding and Interpreting Standard-Logic Data Sheets (Rev. C) 2015年 12月 2日
選擇指南 邏輯器件指南 2014 (Rev. AA) 最新英語版本 (Rev.AC) PDF | HTML 2014年 11月 17日
選擇指南 小尺寸邏輯器件指南 (Rev. E) 最新英語版本 (Rev.G) 2012年 7月 16日
用戶指南 LOGIC Pocket Data Book (Rev. B) 2007年 1月 16日
更多文獻(xiàn)資料 Digital Bus Switch Selection Guide (Rev. A) 2004年 11月 10日
應(yīng)用手冊 Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 2004年 7月 8日
用戶指南 Signal Switch Data Book (Rev. A) 2003年 11月 14日
應(yīng)用手冊 Bus FET Switch Solutions for Live Insertion Applications 2003年 2月 7日

設(shè)計與開發(fā)

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接口適配器

LEADED-ADAPTER1 — 表面貼裝轉(zhuǎn) DIP 接頭適配器，用于快速測試 TI 的 5、8、10、16 和 24 引腳引線式封裝。

EVM-LEADED1 電路板可用于對 TI 的常見引線式封裝進(jìn)行快速測試和電路板試驗。? 該電路板具有足夠的空間，可將 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面貼裝封裝轉(zhuǎn)換為 100mil DIP 接頭。?????

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (DW) 24 Ultra Librarian
SSOP (DBQ) 24 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 24 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
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