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THVD9491-SEP

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具有靈活的 I/O 電源和 IEC ESD 保護(hù)功能的抗輻射 3V 至 5.5V RS-485 收發(fā)器

產(chǎn)品詳情

Number of receivers 1 Number of transmitters 1 Duplex Full Supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 Signaling rate (max) (Mbps) 20, 50 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 Fault protection (V) -40 to 40 Common-mode range (V) -12 to 12 Number of nodes 256 Features 1.65-V I/O supply, Fault protection, IEC ESD protection, PROFIBUS Isolated No Supply current (max) (μA) 72000 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Number of receivers 1 Number of transmitters 1 Duplex Full Supply voltage (nom) (V) 3.3, 5 Signaling rate (max) (Mbps) 20, 50 IEC 61000-4-2 contact (±V) 8000 Fault protection (V) -40 to 40 Common-mode range (V) -12 to 12 Number of nodes 256 Features 1.65-V I/O supply, Fault protection, IEC ESD protection, PROFIBUS Isolated No Supply current (max) (μA) 72000 Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
SOIC (D) 14 51.9 mm2 8.65 x 6
  • VID V62/24626
  • 符合或超出 TIA/EIA-485A 和 TIA/EIA-422B 標(biāo)準(zhǔn)的要求
  • 電離輻射總劑量 (TID) 特征值高達(dá) 30krad (Si)
    • 每個(gè)晶圓批次的輻射批次驗(yàn)收測(cè)試電離輻射總劑量 (TID RLAT) 額定值高達(dá) 30krad (Si)
  • 確定了單粒子效應(yīng) (SEE)
    • 125°C 時(shí)單粒子鎖定 (SEL) 對(duì)于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度 = 43MeV?cm2/mg
  • 增強(qiáng)型航天塑料（航天 EP）
    • 受控基線
    • 一個(gè)封裝測(cè)試廠
    • 一個(gè)制造基地
    • 金鍵合線
    • NiPdAu 鉛涂層
    • 軍用級(jí)溫度范圍（-55°C 至 125°C）
    • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期
    • 產(chǎn)品可追溯性
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規(guī)格要求
  • 3 V 至 5.5 V 的電源電壓
  • 1.65V 至 5.5V 數(shù)據(jù)和使能信號(hào)電源
  • SLR 引腳可選數(shù)據(jù)速率：
    • 20Mbps 和 50Mbps
  • 總線 I/O 保護(hù)
    • ±40V 直流總線故障
    • ±16kV HBM ESD
    • ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電
    • ±4kV IEC 61000-4-4 快速瞬態(tài)突發(fā)
  • 對(duì)稱共模范圍：±12V
  • 增強(qiáng)型接收器遲滯，可獲得抗噪能力
  • 適用于熱插拔功能的無干擾上電或斷電
  • 開路、短路和空閑總線失效防護(hù)
  • 1/8 單位負(fù)載（多達(dá) 256 個(gè)總線節(jié)點(diǎn)）
  • 引線式 14 引腳 SOIC 封裝
  • VID V62/24626
  • 符合或超出 TIA/EIA-485A 和 TIA/EIA-422B 標(biāo)準(zhǔn)的要求
  • 電離輻射總劑量 (TID) 特征值高達(dá) 30krad (Si)
    • 每個(gè)晶圓批次的輻射批次驗(yàn)收測(cè)試電離輻射總劑量 (TID RLAT) 額定值高達(dá) 30krad (Si)
  • 確定了單粒子效應(yīng) (SEE)
    • 125°C 時(shí)單粒子鎖定 (SEL) 對(duì)于線性能量傳遞 (LET) 的抗擾度 = 43MeV?cm2/mg
  • 增強(qiáng)型航天塑料（航天 EP）
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    • 一個(gè)封裝測(cè)試廠
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    • NiPdAu 鉛涂層
    • 軍用級(jí)溫度范圍（-55°C 至 125°C）
    • 延長(zhǎng)了產(chǎn)品生命周期
    • 產(chǎn)品可追溯性
    • 符合 NASA ASTM E595 釋氣規(guī)格要求
  • 3 V 至 5.5 V 的電源電壓
  • 1.65V 至 5.5V 數(shù)據(jù)和使能信號(hào)電源
  • SLR 引腳可選數(shù)據(jù)速率：
    • 20Mbps 和 50Mbps
  • 總線 I/O 保護(hù)
    • ±40V 直流總線故障
    • ±16kV HBM ESD
    • ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電
    • ±4kV IEC 61000-4-4 快速瞬態(tài)突發(fā)
  • 對(duì)稱共模范圍：±12V
  • 增強(qiáng)型接收器遲滯，可獲得抗噪能力
  • 適用于熱插拔功能的無干擾上電或斷電
  • 開路、短路和空閑總線失效防護(hù)
  • 1/8 單位負(fù)載（多達(dá) 256 個(gè)總線節(jié)點(diǎn)）
  • 引線式 14 引腳 SOIC 封裝

THVD9491-SEP 是一款空間增強(qiáng)型 ±40V 故障保護(hù)全雙工 RS-422/RS-485 收發(fā)器，采用 1.65V 至 5.5V 邏輯電源提供數(shù)據(jù)和使能邏輯信號(hào)，并采用 3V 至 5.5V 總線側(cè)電源。該器件具有壓擺率選擇功能，因此可在兩種最大速度（根據(jù) SLR 引腳設(shè)置）下使用。

該器件具有集成式 IEC ESD 保護(hù)，無需外部系統(tǒng)級(jí)保護(hù)元件。在更長(zhǎng)的電纜敷設(shè)長(zhǎng)度和/或存在大接地環(huán)路電壓的情況下，±12V 輸入共模范圍可實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)通信。增強(qiáng)型 250mV 接收器遲滯可提供高噪聲抑制。此外，當(dāng)輸入同時(shí)開路或短路時(shí)，接收器失效防護(hù)功能可確保邏輯高電平。

THVD9491-SEP 器件采用標(biāo)準(zhǔn) 14 引腳 SOIC 封裝。

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該器件具有集成式 IEC ESD 保護(hù)，無需外部系統(tǒng)級(jí)保護(hù)元件。在更長(zhǎng)的電纜敷設(shè)長(zhǎng)度和/或存在大接地環(huán)路電壓的情況下，±12V 輸入共模范圍可實(shí)現(xiàn)可靠的數(shù)據(jù)通信。增強(qiáng)型 250mV 接收器遲滯可提供高噪聲抑制。此外，當(dāng)輸入同時(shí)開路或短路時(shí)，接收器失效防護(hù)功能可確保邏輯高電平。

THVD9491-SEP 器件采用標(biāo)準(zhǔn) 14 引腳 SOIC 封裝。
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設(shè)計(jì)與開發(fā)

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