TPL7407LA-Q1
- 符合汽車類應(yīng)用的 標(biāo)準(zhǔn)
- 具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果:
- 器件溫度 1 級(jí):-40℃ 至 +125℃ 的環(huán)境運(yùn)行溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級(jí) 2
- 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
- 600mA 額定漏極電流(每通道)
- 7 通道達(dá)林頓晶體管陣列 CMOS 引腳對(duì)引腳改善(例如:ULN2003A)
- 能效(極低 VOL)
- 電流為 100mA 時(shí),VOL 低于達(dá)林頓晶體管陣列的四分之一
- 輸出泄露極低,每通道小于 10nA
- 高壓輸出 30V
- 與 1.8V 和 5V 微控制器和邏輯接口兼容
- 用于提供電感反沖保護(hù)的內(nèi)部自振蕩二極管
- 可借助輸入下拉電阻器實(shí)現(xiàn)三態(tài)輸入驅(qū)動(dòng)器
- 用來(lái)消除嘈雜環(huán)境中的雜散運(yùn)行的輸入 RC 緩沖器
- ESD 保護(hù)性能超出 JESD 22 標(biāo)準(zhǔn)
- 2kV HBM,500V CDM
TPL7407LA-Q1 是一款高壓、高電流 NMOS 晶體管陣列。這個(gè)器件包含 7 個(gè)具有高壓輸出的 NMOS 晶體管,這些晶體管具有針對(duì)開(kāi)關(guān)電感負(fù)載的共陰極鉗位二極管。單個(gè) NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600mA。器件添加了新的調(diào)節(jié)和驅(qū)動(dòng)電路,可在全部 GPIO 范圍(1.8V 至 5V)提供最大驅(qū)動(dòng)能力。這些晶體管還可以通過(guò)采用并聯(lián)方式來(lái)提供更高的電流。
相比雙極達(dá)林頓晶體管實(shí)施,TPL7407LA-Q1 的主要優(yōu)勢(shì)在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依賴于較低的 VOL,功率耗散比傳統(tǒng)繼電器驅(qū)動(dòng)器減少一半,每通道的電流低于 250mA。
設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
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TPL7407LEVM — TPL7407L - 40V 低邊驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊
TPL7407LEVM 是一款 7 通道中繼和電感負(fù)載灌電流驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊,用于展示集成電路 TPL7407LDR 的性能。TPL7407LDR 是一款高性能外設(shè)驅(qū)動(dòng)器,旨在驅(qū)動(dòng)繼電器、步進(jìn)電機(jī)、燈和發(fā)光二極管等各類型負(fù)載。此 EVM 配置了 7 個(gè)向 TPL7407L 驅(qū)動(dòng)器提供輸入的按鈕和 7 個(gè)由 TPL7407L 輸出驅(qū)動(dòng)的繼電器。外部電源必須連接一個(gè)含 4 個(gè)終端的塊,以提供輸入和繼電器電源。TPL7407L 的所有輸入和輸出引腳均可用于外部連接。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 16 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。