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TPS51116-EP

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增強型產(chǎn)品 DDR1、DDR2、DDR3 轉(zhuǎn)換開關(guān)和 LDO

產(chǎn)品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iq (typ) (mA) 0.8 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.75 Vout (max) (V) 3 Features Complete Solution, Shutdown Pin for S3 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iq (typ) (mA) 0.8 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
HTSSOP (PWP) 20 41.6 mm2 6.5 x 6.4
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
    • 負載階躍響應(yīng)為 100ns 的 D?CAP? 模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持 S4/S5 狀態(tài)內(nèi)的軟關(guān)閉
    • RDS（接通）或電阻器的電流感測
    • 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可調(diào)節(jié)至
      1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或
      0.75V 至 3.0V 的輸出電壓范圍
    • 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
  • 1A LDO (VTT)，經(jīng)緩沖基準(zhǔn) (VREF)
    • 灌電流和拉電流的能力達到 1A
    • 提供 LDO 輸入以優(yōu)化功率損耗
    • 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
    • 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
    • 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
    • 過熱保護
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 寬輸入電壓范圍: 3.0V 至 28V
    • 負載階躍響應(yīng)為 100ns 的 D?CAP? 模式
    • 電流模式選項支持陶瓷輸出電容器
    • 支持 S4/S5 狀態(tài)內(nèi)的軟關(guān)閉
    • RDS（接通）或電阻器的電流感測
    • 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可調(diào)節(jié)至
      1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或
      0.75V 至 3.0V 的輸出電壓范圍
    • 配備有電源正常、過壓保護和欠壓保護
  • 1A LDO (VTT)，經(jīng)緩沖基準(zhǔn) (VREF)
    • 灌電流和拉電流的能力達到 1A
    • 提供 LDO 輸入以優(yōu)化功率損耗
    • 只需 20μF 陶瓷輸出電容器
    • 經(jīng)緩沖的低噪聲 10mA VREF 輸出
    • 針對 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持軟關(guān)閉
    • 過熱保護

TPS51116 為 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)提供一個完整的電源。 它集成了一個具有 1A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和經(jīng)緩沖低噪聲基準(zhǔn)的同步降壓控制器。 TPS51116 在空間非常寶貴的系統(tǒng)中提供最低的總體解決方案成本。 TPS51116 同步控制器運行具有自適應(yīng)接通時間控制的定頻 400kHz，偽恒定頻率脈寬調(diào)制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中進行配置，此模式可簡化使用并實現(xiàn)最快瞬態(tài)響應(yīng)或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器。 1A 灌電流/拉電流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)。 此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。 TPS51116 支持所有睡眠狀態(tài)控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態(tài)并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）放電。 TPS51116 具有所有保護特性，其中包括熱關(guān)斷并采用 20 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封裝。

TPS51116 為 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)提供一個完整的電源。 它集成了一個具有 1A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和經(jīng)緩沖低噪聲基準(zhǔn)的同步降壓控制器。 TPS51116 在空間非常寶貴的系統(tǒng)中提供最低的總體解決方案成本。 TPS51116 同步控制器運行具有自適應(yīng)接通時間控制的定頻 400kHz，偽恒定頻率脈寬調(diào)制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中進行配置，此模式可簡化使用并實現(xiàn)最快瞬態(tài)響應(yīng)或者在電流模式中支持陶瓷輸出電容器。 1A 灌電流/拉電流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷輸出電容器即可保持快速瞬態(tài)響應(yīng)。 此外，LDO 電源輸入是外部可用的，這樣可大大減少總體功耗。 TPS51116 支持所有睡眠狀態(tài)控制，此類控制在 S3（掛起到 RAM）中將 VTT 置于 high-Z 狀態(tài)并且在 S4/S5（掛起到硬盤）中將 VDDQ，VTT 和 VTTREF（軟關(guān)閉）放電。 TPS51116 具有所有保護特性，其中包括熱關(guān)斷并采用 20 引腳散熱薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封裝。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 完整DDR，DDR2，DDR3 和LPDDR3 存儲器電源解決方案同步降壓控制器，3A 低壓降穩(wěn)壓器(LDO)，經(jīng)緩沖基準(zhǔn) 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2012年 12月 5日
* VID TPS51116-EP VID V6212602 2016年 6月 21日
* 輻射與可靠性報告 TPS51116MPWPEP Reliability Report 2016年 2月 2日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

TPS51116EVM-001 — TPS51116 存儲器電源解決方案，同步降壓控制器評估模塊

The TPS51116EVM evaluation module (EVM) is a dual-output converter for DDR and DDRII memory modules. It uses a 10 A synchronous buck converter to provide the core voltage (VDDQ) for DDR memory modules. The EVM is designed to use a 4.5 V to 28 V supply voltage and a 4.75 V to (...)

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
HTSSOP (PWP) 20 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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支持和培訓(xùn)

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