TPS51200-EP
- 輸入電壓:支持 2.5V 和 3.3V 電源軌
- VLDOIN 電壓范圍:1.1V 至 3.5V
- 具有壓降補償功能的灌電流和拉電流終端穩(wěn)壓器
- 所需最小輸出電容為 20μF(通常為 3 × 10μF MLCC),用于存儲器終端 應用 (DDR)
- 用于監(jiān)視輸出穩(wěn)壓的 PGOOD
- EN 輸入
- REFIN 輸入允許直接或通過電阻分壓器靈活進行輸入跟蹤
- 遠程感測 (VOSNS)
- ±10mA 緩沖基準 (REFOUT)
- 內(nèi)置軟啟動,欠壓鎖定 (UVLO) 和過流限制 (OCL)
- 熱關斷
- 符合 DDR 和 DDR2 JEDEC 規(guī)范
- 支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 應用
- 帶有散熱焊盤的 10 引腳超薄小外形尺寸無引線 (VSON) 封裝
- 支持國防、航天和醫(yī)療 應用
- 受控基線
- 一個組裝和測試場所
- 一個制造場所
- 支持軍用溫度范圍(-55°C 至 125°C)
- 延長的產(chǎn)品使用壽命周期
- 延長的產(chǎn)品變更通知
- 產(chǎn)品可追溯性
應用范圍
- 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 的存儲器終端穩(wěn)壓器
- 筆記本、臺式機和服務器
- 電信和數(shù)據(jù)通信
- 基站
- 液晶 (LCD) 電視和等離子 (PDP) 電視
- 復印機和打印機
- 機頂盒
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TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專用于空間問題是重要考量因素的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)。
TPS51200-EP 能夠保持快速瞬態(tài)響應,最低僅需 20μF 輸出電容。TPS51200-EP 支持遠程感測功能并且可滿足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線的所有電源要求。
此外,TPS51200-EP 還提供一個開漏 PGOOD 信號監(jiān)測輸出穩(wěn)壓,提供一個 EN 信號在 S3(掛起至 RA4M)期間針對 DDR 進行 VTT 放電。
TPS51200-EP 采用帶散熱焊盤的高效散熱型 10 引腳超薄小外形尺寸無引線 (VSON) 封裝,無鉛且綠色環(huán)保。其額定工作溫度范圍為 -55°C 至 +125°C。
技術文檔
| 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS51200-EP 灌/拉 DDR 終端穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2016年 8月 11日 |
| * | VID | TPS51200-EP VID V6216610 | 2018年 3月 27日 | |||
| * | 輻射與可靠性報告 | TPS51200MDRCTEP Reliability Report | 2016年 9月 21日 |
設計和開發(fā)
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TPS51200EVM — TPS51200 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器
TPS51200EVM 評估板 HPA322A 旨在評估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 終端穩(wěn)壓器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在為 DDR 存儲器提供適當?shù)慕K止電壓和 10mA 緩沖基準電壓,該存儲器涵蓋 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 規(guī)格,并具有超少的外部元件。
TPS51200 TINA-TI Start-Up Transient Reference Design
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DRC) | 10 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。