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TPS51604

正在供貨

適用于同步降壓高頻 CPU 內(nèi)核電源應(yīng)用的 4A、28V 半橋柵極驅(qū)動器

產(chǎn)品詳情

Features Dead time control, Synchronous Rectification
Features Dead time control, Synchronous Rectification
WSON (DSG) 8 4 mm2 2 x 2
  • 針對已優(yōu)化連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM) 的精簡死區(qū)時間驅(qū)動電路
  • 針對已優(yōu)化斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 效率的自動零交叉檢測
  • 針對已優(yōu)化輕負(fù)載效率的多個低功耗模式
  • 為了實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的經(jīng)優(yōu)化信號路徑延遲
  • 針對超級本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 開關(guān)驅(qū)動強(qiáng)度
  • 針對 5V FET 驅(qū)動而進(jìn)行了優(yōu)化
  • 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 (VIN)：4.5V 至 28V
  • 2mm × 2mm 8 引腳 WSON 散熱墊封裝
  • 針對已優(yōu)化連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM) 的精簡死區(qū)時間驅(qū)動電路
  • 針對已優(yōu)化斷續(xù)傳導(dǎo)模式 (DCM) 效率的自動零交叉檢測
  • 針對已優(yōu)化輕負(fù)載效率的多個低功耗模式
  • 為了實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的經(jīng)優(yōu)化信號路徑延遲
  • 針對超級本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 開關(guān)驅(qū)動強(qiáng)度
  • 針對 5V FET 驅(qū)動而進(jìn)行了優(yōu)化
  • 轉(zhuǎn)換輸入電壓范圍 (VIN)：4.5V 至 28V
  • 2mm × 2mm 8 引腳 WSON 散熱墊封裝

TPS51604 驅(qū)動器針對高頻 CPU VCORE 應(yīng)用 進(jìn)行了優(yōu)化。具有 降低 死區(qū)時間驅(qū)動和自動零交越等高級特性，可用于在整個負(fù)載范圍內(nèi)優(yōu)化效率。

SKIP 引腳提供 CCM 操作選項(xiàng)，以支持輸出電壓的受控管理。此外，TPS51604 支持兩種低功耗模式。借助于脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入三態(tài)，靜態(tài)電流被減少至 130µA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP 被保持在三態(tài)時，電流被減少至 8µA（恢復(fù)切換通常需要 20µs）。此驅(qū)動器與合適的德州儀器 (TI) 控制器配對使用，能夠成為出色的高性能電源系統(tǒng)。

TPS51604 器件采用節(jié)省空間的耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 2mm x 2mm WSON 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 105°C。

TPS51604 驅(qū)動器針對高頻 CPU VCORE 應(yīng)用 進(jìn)行了優(yōu)化。具有 降低 死區(qū)時間驅(qū)動和自動零交越等高級特性，可用于在整個負(fù)載范圍內(nèi)優(yōu)化效率。

SKIP 引腳提供 CCM 操作選項(xiàng)，以支持輸出電壓的受控管理。此外，TPS51604 支持兩種低功耗模式。借助于脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入三態(tài)，靜態(tài)電流被減少至 130µA，并支持立即響應(yīng)。當(dāng) SKIP 被保持在三態(tài)時，電流被減少至 8µA（恢復(fù)切換通常需要 20µs）。此驅(qū)動器與合適的德州儀器 (TI) 控制器配對使用，能夠成為出色的高性能電源系統(tǒng)。

TPS51604 器件采用節(jié)省空間的耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 2mm x 2mm WSON 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 105°C。
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技術(shù)文檔

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頂層文檔 類型 標(biāo)題 格式選項(xiàng) 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPS51604用于高頻 CPU 內(nèi)核功率的同步降壓 FET 驅(qū)動器 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2017年 11月 3日
應(yīng)用簡報(bào) 了解峰值源電流和灌電流 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
應(yīng)用簡報(bào) 適用于柵極驅(qū)動器的外部柵極電阻器設(shè)計(jì)指南 (Rev. A) 英語版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文獻(xiàn)資料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
更多文獻(xiàn)資料 MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理 最新英語版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

如需其他信息或資源，請點(diǎn)擊以下任一標(biāo)題進(jìn)入詳情頁面查看（如有）。

仿真模型

TPS51604 PSpice Transient Model

SLUM641.ZIP (34 KB) - PSpice Model
下載
參考設(shè)計(jì)

TIDA-00448 — 具有增強(qiáng)型數(shù)字隔離器的靈活型高電流 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計(jì)

TIDA-00448 參考設(shè)計(jì)是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅(qū)動程序，旨在用于驅(qū)動所需高峰值閘極電流高達(dá) 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內(nèi)，具有相同的封裝，能讓單個設(shè)計(jì)用于具有不同額定功率的多驅(qū)動器平臺。數(shù)字隔離器用于實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)浪涌額定值為 8kV 且共模瞬變抗擾度 (CMTI) 為 50kV 的增強(qiáng)型隔離。該設(shè)計(jì)包含了使用快速瞬態(tài)響應(yīng)比較器的 DESAT 保護(hù)。DESAT 檢測閾值和軟關(guān)閉時間都是可配置的。該設(shè)計(jì)可連接來自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM，并同時連接故障、重置和 UVLO 反饋。
設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計(jì)。

支持和培訓(xùn)

視頻