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TPS51916

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DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器

產(chǎn)品詳情

Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Product type DDR Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm2 3 x 3
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • 可選控制架構(gòu)
      • D-CAP?模式，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
      • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 開關(guān)頻率
    • 自動跳過功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時的效率
    • 支持 S4 和 S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)，緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 經(jīng)緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 支持高阻抗 (S3) 和軟關(guān)閉（S4、S5）
  • 熱關(guān)斷
  • 20 引腳，3mm x 3mm，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
  • 創(chuàng)建 WEBENCH 設(shè)計
  • 同步降壓控制器 (VDDQ)
    • 轉(zhuǎn)換電壓范圍：3V 至 28V
    • 輸出電壓范圍：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • 可選控制架構(gòu)
      • D-CAP?模式，可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
      • D-CAP2?針對陶瓷輸出電容器的模式
    • 可選 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 開關(guān)頻率
    • 自動跳過功能優(yōu)化了輕負(fù)載和重負(fù)載時的效率
    • 支持 S4 和 S5 狀態(tài)下的軟關(guān)閉
    • 過流 (OCL) / 過壓 (OVP) / 欠壓 (UVP) / 欠壓閉鎖 (UVLO) 保護(hù)
    • 電源正常輸出
  • 2A LDO (VTT)，緩沖基準(zhǔn) (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌電流和拉電流
    • 經(jīng)緩沖的，低噪聲，10mA VTTREF 輸出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 支持高阻抗 (S3) 和軟關(guān)閉（S4、S5）
  • 熱關(guān)斷
  • 20 引腳，3mm x 3mm，四方扁平無引線 (QFN) 封裝
  • 創(chuàng)建 WEBENCH 設(shè)計

TPS51916 器件能夠以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流和 2A 拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。

該器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 頻率的 D-CAP™ 模式，以實現(xiàn)易于使用且快速的瞬態(tài)響應(yīng)，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 頻率的 D-CAP2™ 模式，以在無需外部補償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。

該器件還可以提供卓越的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4 或 S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電（軟關(guān)閉）。它還提供具有低側(cè) MOSFET RDS(on) 檢測功能的可編程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及熱關(guān)斷保護(hù)。

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TPS51916 器件能夠以最少總成本和最小空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓器控制器 (VDDQ) 與 2A 灌電流和 2A 拉電流跟蹤 LDO (VTT) 以及緩沖低噪聲基準(zhǔn) (VTTREF) 集成在一起。

該器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 頻率的 D-CAP™ 模式，以實現(xiàn)易于使用且快速的瞬態(tài)響應(yīng)，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 頻率的 D-CAP2™ 模式，以在無需外部補償電路的情況下支持陶瓷輸出電容器。VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度優(yōu)于 0.8%。能夠提供 2A 灌電流和 2A 拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷電容。提供專用的 LDO 電源輸入。

該器件還可以提供卓越的電源性能。它支持靈活功率級控制，將 VTT 置于高阻抗?fàn)顟B(tài)（處于 S3）并在 S4 或 S5 狀態(tài)下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進(jìn)行放電（軟關(guān)閉）。它還提供具有低側(cè) MOSFET RDS(on) 檢測功能的可編程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及熱關(guān)斷保護(hù)。

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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 具有同步降壓控制器、2A LDO 和緩沖基準(zhǔn)的 TPS51916 完整 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存儲器 電源解決方案 數(shù)據(jù)表 (Rev. F) PDF | HTML 英語版 (Rev.F) PDF | HTML 2019年 5月 2日
選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
選擇指南 電源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
更多文獻(xiàn)資料 Computing DDR DC-DC Power Solutions 2012年 8月 22日
EVM 用戶指南 TPS51916EVM-746 User's Guide 2011年 8月 19日

設(shè)計與開發(fā)

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評估板

TPS51916EVM-746 — 用于 TPS51916 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓控制器的評估模塊

The TPS51916EVM-746 evaluation module is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS51916 low-dropout (LDO) regulator. The TPS51916 provides a complete power supply for DDR2, DDR3, DDR3L and DDR4 memory system in the lowest total cost and minimum space. The TPS51916 integrates a (...)
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPS51916 PSpice Transient Model

SLUM206.ZIP (80 KB) - PSpice Model
下載
仿真模型

TPS51916 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM265.TSC (253 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
仿真模型

TPS51916 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM266.ZIP (78 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
參考設(shè)計

TIDA-00020 — Intel IMVP7 第二代 Core Mobile (Core i7) 電源管理參考設(shè)計

Intel? Core i7 電源管理設(shè)計是一款面向 Intel? IMVP-7 串行 VID (SVID) 電源系統(tǒng)的參考設(shè)計。該設(shè)計采用 IMVP-7 三相 CPU 電源、單相 GPU Vcore 電源、1.05VCC I/O 電源和 DDR3L/DDR4 內(nèi)存電壓軌。為大幅提高功率密度和熱性能，采用了 5mm x 6mm NEXFET 電源塊 MOSFET。
測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評估模塊或參考設(shè)計。

支持和培訓(xùn)

視頻