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TPS552872

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36V、4A 完全集成式降壓/升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Topology Buck-Boost Vin (max) (V) 36 Vin (min) (V) 3 Vout (max) (V) 22 Vout (min) (V) 0.8 Switch current limit (typ) (A) 4 Features Enable, Frequency synchronization, Light-load efficiency, Load Disconnect, Power good, Spread Spectrum, Synchronous rectification, UVLO adjustable EMI features Frequency Dithering, Spread Spectrum Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (A) 0.00076 Duty cycle (max) (%) 100
Rating Catalog Topology Buck-Boost Vin (max) (V) 36 Vin (min) (V) 3 Vout (max) (V) 22 Vout (min) (V) 0.8 Switch current limit (typ) (A) 4 Features Enable, Frequency synchronization, Light-load efficiency, Load Disconnect, Power good, Spread Spectrum, Synchronous rectification, UVLO adjustable EMI features Frequency Dithering, Spread Spectrum Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iq (typ) (A) 0.00076 Duty cycle (max) (%) 100
VQFN-HR (RYQ) 21 15 mm2 5 x 3
  • 寬輸入和輸出電壓范圍
    • 寬輸入電壓范圍：3.0V 至 36V
    • 可編程輸出電壓范圍：0.8V 至 22V
    • ±1% 基準(zhǔn)電壓精度
    • 電纜上壓降的可調(diào)輸出電壓補(bǔ)償
    • ±5% 精密輸出電流監(jiān)測(cè)
  • 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有高效率
    • V IN = 12V、V OUT = 20V 且 I OUT = 1.5 A 時(shí)效率為 96.7%
    • V IN = 12V、V OUT = 12 V 且 I OUT = 2 A 時(shí)效率為 98.3%
    • 輕負(fù)載狀態(tài)下的可編程 PFM 和 FPWM 模式
  • 避免頻率干擾和串?dāng)_
    • 可選的時(shí)鐘同步
    • 可編程開(kāi)關(guān)頻率范圍為 200 kHz 至 2.2 MHz
  • 降低 EMI
    • 可選可編程擴(kuò)展頻譜
    • 無(wú)引線封裝
  • 豐富的保護(hù)特性
    • 輸出過(guò)壓保護(hù)
    • 利用斷續(xù)模式實(shí)現(xiàn)輸出短路保護(hù)
    • 熱關(guān)斷保護(hù)
    • 4 A 平均電感器電流限制
  • 小解決方案尺寸
    • 開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 2.2 MHz（最大值）
    • 3.0mm × 5.0mm HotRod? QFN 封裝
  • 寬輸入和輸出電壓范圍
    • 寬輸入電壓范圍：3.0V 至 36V
    • 可編程輸出電壓范圍：0.8V 至 22V
    • ±1% 基準(zhǔn)電壓精度
    • 電纜上壓降的可調(diào)輸出電壓補(bǔ)償
    • ±5% 精密輸出電流監(jiān)測(cè)
  • 在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)具有高效率
    • V IN = 12V、V OUT = 20V 且 I OUT = 1.5 A 時(shí)效率為 96.7%
    • V IN = 12V、V OUT = 12 V 且 I OUT = 2 A 時(shí)效率為 98.3%
    • 輕負(fù)載狀態(tài)下的可編程 PFM 和 FPWM 模式
  • 避免頻率干擾和串?dāng)_
    • 可選的時(shí)鐘同步
    • 可編程開(kāi)關(guān)頻率范圍為 200 kHz 至 2.2 MHz
  • 降低 EMI
    • 可選可編程擴(kuò)展頻譜
    • 無(wú)引線封裝
  • 豐富的保護(hù)特性
    • 輸出過(guò)壓保護(hù)
    • 利用斷續(xù)模式實(shí)現(xiàn)輸出短路保護(hù)
    • 熱關(guān)斷保護(hù)
    • 4 A 平均電感器電流限制
  • 小解決方案尺寸
    • 開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 2.2 MHz（最大值）
    • 3.0mm × 5.0mm HotRod? QFN 封裝

TPS552872 同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器經(jīng)優(yōu)化，可將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌。 TPS552872 集成了四個(gè) MOSFET 開(kāi)關(guān)，可為各種應(yīng)用提供緊湊型解決方案。 TPS552872 的輸入電壓高達(dá) 36V。在升壓模式下，輸入電壓為 12V 時(shí)， TPS552872 可提供 30W 的輸出功率。它能夠通過(guò) 9V 輸入電壓提供 25W 的功率。

TPS552872 采用平均電流模式控制方案。開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)外部電阻在 200kHz 至 2.2MHz 之間進(jìn)行編程，并且可與外部時(shí)鐘同步。 TPS552872 還提供可選的展頻，從而最大限度地減少峰值 EMI。

TPS552872 提供輸出過(guò)壓保護(hù)、平均電感器電流限制、逐周期峰值電流限制和輸出短路保護(hù)。 TPS552872 還提供可選輸出電流限制和斷續(xù)模式保護(hù)，可在持續(xù)過(guò)載情況下確保安全運(yùn)行。

TPS552872 可以使用具有高開(kāi)關(guān)頻率的小型電感器和小型電容器。此器件采用 3.0mm × 5.0mm QFN 封裝。

TPS552872 同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器經(jīng)優(yōu)化，可將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌。 TPS552872 集成了四個(gè) MOSFET 開(kāi)關(guān)，可為各種應(yīng)用提供緊湊型解決方案。 TPS552872 的輸入電壓高達(dá) 36V。在升壓模式下，輸入電壓為 12V 時(shí)， TPS552872 可提供 30W 的輸出功率。它能夠通過(guò) 9V 輸入電壓提供 25W 的功率。

TPS552872 采用平均電流模式控制方案。開(kāi)關(guān)頻率可通過(guò)外部電阻在 200kHz 至 2.2MHz 之間進(jìn)行編程，并且可與外部時(shí)鐘同步。 TPS552872 還提供可選的展頻，從而最大限度地減少峰值 EMI。

TPS552872 提供輸出過(guò)壓保護(hù)、平均電感器電流限制、逐周期峰值電流限制和輸出短路保護(hù)。 TPS552872 還提供可選輸出電流限制和斷續(xù)模式保護(hù)，可在持續(xù)過(guò)載情況下確保安全運(yùn)行。

TPS552872 可以使用具有高開(kāi)關(guān)頻率的小型電感器和小型電容器。此器件采用 3.0mm × 5.0mm QFN 封裝。
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* 數(shù)據(jù)表 TPS552872 36V 4A 完全集成式降壓/升壓轉(zhuǎn)換器 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2023年 8月 11日
證書(shū) TPS552872EVM-029 EU Declaration of Conformity (DoC) 2023年 7月 20日

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評(píng)估板

TPS552872EVM — TPS552872 降壓/升壓轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊

TPS552872EVM-029 集成了四個(gè) MOSFET 開(kāi)關(guān)，可為各種應(yīng)用提供緊湊型器件。使用 TPS552872 高性能高效同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器經(jīng)優(yōu)化，可將電池電壓或適配器電壓轉(zhuǎn)換為電源軌。

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封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN-HR (RYQ) 21 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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