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TPS7E82

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40V 300mA 低 IQ (2.8μA) 低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器

產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Vin (max) (V) 40 Vin (min) (V) 3 Iout (max) (A) 0.3 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 38 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8 Noise (μVrms) 650 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Iq (typ) (mA) 0.0028 Features Enable, Over Current Protection, Over Temperature Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 90.2, 190.2 Load capacitance (min) (μF) 22 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1.2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 460 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Vin (max) (V) 40 Vin (min) (V) 3 Iout (max) (A) 0.3 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 38 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8 Noise (μVrms) 650 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Iq (typ) (mA) 0.0028 Features Enable, Over Current Protection, Over Temperature Protection Thermal resistance θJA (°C/W) 90.2, 190.2 Load capacitance (min) (μF) 22 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1.2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 460 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm2 2.9 x 2.8
  • 輸入電壓范圍:3.0 V 至 40 V(最大 42 V)
  • 可配置的輸出電壓選項(xiàng):
    • 固定:1.8V 至 12V
    • 可調(diào)節(jié):1.2V 至 38V
  • 輸出電流:高達(dá) 300mA
  • 在整個(gè)線(xiàn)路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 ±1.2%
  • 超低 IQ:IOUT = 0mA 時(shí)為 2.8μA
  • 與 4.7μF 或更大的陶瓷電容器一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
    • ESR 范圍:0Ω 至 1Ω
  • 壓降電壓:電壓為 300mA 時(shí)為 900mV(典型值)
  • 高 PSRR:
    • 1kHz 時(shí)為 70dB
    • 100kHz 時(shí)為 45dB
  • 過(guò)流、過(guò)功率和過(guò)熱限制
  • 封裝:
    • 5 引腳 SOT-23 (DBV) [RθJA:190.9°C/W]
    • 6 引腳 WSON (DRV) [RθJA:90.2°C/W]
  • 工作結(jié)溫:-40°C 至 +125°C
  • 輸入電壓范圍:3.0 V 至 40 V(最大 42 V)
  • 可配置的輸出電壓選項(xiàng):
    • 固定:1.8V 至 12V
    • 可調(diào)節(jié):1.2V 至 38V
  • 輸出電流:高達(dá) 300mA
  • 在整個(gè)線(xiàn)路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度為 ±1.2%
  • 超低 IQ:IOUT = 0mA 時(shí)為 2.8μA
  • 與 4.7μF 或更大的陶瓷電容器一起工作時(shí)保持穩(wěn)定
    • ESR 范圍:0Ω 至 1Ω
  • 壓降電壓:電壓為 300mA 時(shí)為 900mV(典型值)
  • 高 PSRR:
    • 1kHz 時(shí)為 70dB
    • 100kHz 時(shí)為 45dB
  • 過(guò)流、過(guò)功率和過(guò)熱限制
  • 封裝:
    • 5 引腳 SOT-23 (DBV) [RθJA:190.9°C/W]
    • 6 引腳 WSON (DRV) [RθJA:90.2°C/W]
  • 工作結(jié)溫:-40°C 至 +125°C

TPS7E82 低壓降 (LDO) 線(xiàn)性穩(wěn)壓器是低靜態(tài)電流器件,支持 3V 至 40V 的寬輸入電壓范圍。對(duì)于可調(diào)節(jié)配置,寬輸出范圍為 1.2V 至 38V;對(duì)于固定配置,該范圍為 1.8V 至 12V,支持高達(dá) 300mA 的負(fù)載電流。該器件在空載時(shí)僅具有 2.8µA 靜態(tài)電流,旨在為電池供電應(yīng)用的微控制器和其他低功耗負(fù)載供電。

TPS7E82 可以在整個(gè)線(xiàn)路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)支持 ±1.2% 的非常嚴(yán)格的直流精度。該器件可快速響應(yīng)線(xiàn)路和負(fù)載瞬態(tài)。該器件在穩(wěn)壓期間具有低靜態(tài)電流(通常為 2.8µA),且在壓差狀態(tài)下仍能保持可控的 IQ(空載壓差時(shí)典型值 12µA),專(zhuān)用于電池供電系統(tǒng)或常開(kāi)系統(tǒng),這些系統(tǒng)需要極低的空閑狀態(tài)功耗。

TPS7E82 在 300mA 負(fù)載電流下支持典型值為 900mV 的低壓降。該器件內(nèi)置過(guò)流、過(guò)熱和過(guò)功率輸送保護(hù)機(jī)制,可確保 LDO 可靠運(yùn)行。TPS7E82 在輸出電容范圍介于 4.7µF 至 100µF 之間時(shí)可保持穩(wěn)定。

TPS7E82 低壓降 (LDO) 線(xiàn)性穩(wěn)壓器是低靜態(tài)電流器件,支持 3V 至 40V 的寬輸入電壓范圍。對(duì)于可調(diào)節(jié)配置,寬輸出范圍為 1.2V 至 38V;對(duì)于固定配置,該范圍為 1.8V 至 12V,支持高達(dá) 300mA 的負(fù)載電流。該器件在空載時(shí)僅具有 2.8µA 靜態(tài)電流,旨在為電池供電應(yīng)用的微控制器和其他低功耗負(fù)載供電。

TPS7E82 可以在整個(gè)線(xiàn)路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)支持 ±1.2% 的非常嚴(yán)格的直流精度。該器件可快速響應(yīng)線(xiàn)路和負(fù)載瞬態(tài)。該器件在穩(wěn)壓期間具有低靜態(tài)電流(通常為 2.8µA),且在壓差狀態(tài)下仍能保持可控的 IQ(空載壓差時(shí)典型值 12µA),專(zhuān)用于電池供電系統(tǒng)或常開(kāi)系統(tǒng),這些系統(tǒng)需要極低的空閑狀態(tài)功耗。

TPS7E82 在 300mA 負(fù)載電流下支持典型值為 900mV 的低壓降。該器件內(nèi)置過(guò)流、過(guò)熱和過(guò)功率輸送保護(hù)機(jī)制,可確保 LDO 可靠運(yùn)行。TPS7E82 在輸出電容范圍介于 4.7µF 至 100µF 之間時(shí)可保持穩(wěn)定。

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* 數(shù)據(jù)表 TPS7E82 300mA、40V、超低 IQ 低壓降穩(wěn)壓器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.A) PDF | HTML 2025年 12月 30日

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評(píng)估板

MULTIPKGLDOEVM-823 — 支持 DBV、DRB、DRV 和 DQN 封裝的通用 LDO 線(xiàn)性穩(wěn)壓器評(píng)估模塊

MULTIPKGLDOEVM-823 評(píng)估模塊 (EVM) 可幫助您評(píng)估可能用于電路應(yīng)用的多種常見(jiàn)線(xiàn)性穩(wěn)壓器封裝的操作和性能。這種特殊的 EVM 配置采用 DRB、DRV、DQN 和 DBV 封裝,便于您焊接和評(píng)估低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器。

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封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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