TPS7H5020-SEP
Radiation-tolerant, 100% duty cycle PWM controller for driving MOSFETs or GaN FETs
TPS7H5020-SEP
- 輻射性能：
- 耐輻射保障 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 總電離劑量 (TID)
- 單粒子鎖定 (SEL)、單粒子燒毀 (SEB) 和單粒子?xùn)糯?(SEGR) 對(duì)于 LET 的抗擾度 = 75MeV-cm2/mg
- 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特征值高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
- 控制器級(jí)和驅(qū)動(dòng)器級(jí)的輸入電壓范圍高達(dá) 14V
- 專用柵極驅(qū)動(dòng)器電壓輸入引腳 (PVIN) 可驅(qū)動(dòng)硅器件和 GaN 器件
- 1.2A 峰值拉電流和灌電流（12V 時(shí)）
- 為了驅(qū)動(dòng) GaN，可選擇將 VLDO 線性穩(wěn)壓器輸出連接到 PVIN (TPS7H502x)
- 4.5V 至 5.5V 的可編程線性穩(wěn)壓器 (VLDO) (TPS7H502x)
- 在溫度、輻射以及線路和負(fù)載調(diào)節(jié)范圍內(nèi)提供 0.6V ±1% 的基準(zhǔn)電壓
- 開(kāi)關(guān)頻率為 100kHz 至 1MHz (TPS7H502x) 或 100kHz 至 500kHz (TPS7H503x)
- 外部時(shí)鐘同步功能
- 可調(diào)斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)
- 通過(guò)符合 ASTM E595 標(biāo)準(zhǔn)的塑料封裝廢氣測(cè)試
- 可用于軍用溫度范圍，即 -55°C 至 125°C
TPS7H502x 和 TPS7H503x 是一款耐輻射的電流模式單端 PWM 控制器，包含集成的柵極驅(qū)動(dòng)器。TPS7H502x 可應(yīng)用于基于硅以及氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，而 TPS7H503x 則主要面向基于硅的轉(zhuǎn)換器。該轉(zhuǎn)換器集成了多個(gè)關(guān)鍵功能，例如軟啟動(dòng)、使能和可調(diào)斜率補(bǔ)償，同時(shí)保持較小的封裝尺寸。該控制器還具有 0.6V ± 1% 的電壓基準(zhǔn)容差，可支持高精度電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
TPS7H502x 和 TPS7H503x 可通過(guò) SYNC 引腳使用外部時(shí)鐘來(lái)運(yùn)行，也可使用 RT 引腳以用戶決定的頻率對(duì)內(nèi)部振蕩器進(jìn)行編程來(lái)運(yùn)行。TPS7H502x 器件的開(kāi)關(guān)頻率高達(dá) 1MHz，而 TPS7H503x 支持高達(dá) 500kHz 的工作頻率。控制器的驅(qū)動(dòng)器級(jí)具有寬輸入電壓范圍，并支持高達(dá) 1.2A 的峰值拉電流和灌電流。TPS7H502x 具有可編程穩(wěn)壓器 VLDO，該穩(wěn)壓器也可以直接連接到驅(qū)動(dòng)器級(jí)的輸入端 (PVIN)，以便為 GaN FET 的運(yùn)行提供受控良好的柵極電壓。可編程穩(wěn)壓器可接受 4.5V 至 5.5V 范圍的電壓。TPS7H5020 和 TPS7H5030 器件具有 100% 的最大占空比，而 TPS7H5021 和 TPS7H5031 具有 50% 的最大占空比。該控制器支持多種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)?，包括反激式、正激式和升壓?/p>
技術(shù)文檔
| 頂層文檔 | 類(lèi)型 | 標(biāo)題 | 格式選項(xiàng) | 下載最新的英語(yǔ)版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | TPS7H502x-SP/SEP 和 TPS7H503x-SP/SEP 耐輻射電流模式 PWM 控制器（帶有集成的柵極驅(qū)動(dòng)器） 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2026年 2月 24日 |
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SEP and TPS7H5021-SEP Single-Event Effects (SEE) Report (Rev. A) | PDF | HTML | 2026年 2月 13日 | ||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2025年 9月 10日 | ||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SEP Total Ionizing Dose Report | 2025年 9月 5日 | |||
| * | 輻射與可靠性報(bào)告 | TPS7H5020-SEP and TPS7H5020-SP QMLP Neutron Displacement Damage (NDD) Characterization | 2025年 9月 2日 | |||
| 證書(shū) | TPS7H5020FLYEVM EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025年 6月 5日 | ||||
| 選擇指南 | TI Space Products (Rev. K) | 2025年 4月 4日 | ||||
| 應(yīng)用手冊(cè) | 借助增強(qiáng)型航天塑料產(chǎn)品降低近地軌道任務(wù)的風(fēng)險(xiǎn) (Rev. A) | PDF | HTML | 英語(yǔ)版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 10月 14日 | |
| 電子書(shū) | 電子產(chǎn)品輻射手冊(cè) (Rev. A) | 2019年 5月 21日 |
設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)
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TPS7H5020EVM — TPS7H5020-SP 評(píng)估模塊
TPS7H5020FLYEVM — TPS7H5020-SEP 和 QMLP 反激式評(píng)估模塊
TPS7H5020FLYEVM 演示了一個(gè) TPS7H5020-SEP PWM 控制器的運(yùn)行情況，該控制器驅(qū)動(dòng)反激式轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲械?GaN FET 開(kāi)關(guān)元件。該 EVM 可以靈活地測(cè)試定制配置。提供了測(cè)試點(diǎn)和額外的元件空間，以便輕松進(jìn)行器件配置和性能驗(yàn)證。
PMP23598 — 適用于航天應(yīng)用的 75W 同步正激式轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
PMP23546 — 適用于偏置電源的 2.4W 多輸出 PSR 反激式參考設(shè)計(jì)
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HTSSOP (PWP) | 24 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。